晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 22 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 22 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
IMH1AT110 是一款由日本 ROHM(罗姆)公司推出的数字晶体管,设计专为现代电子设备中高效信号放大与开关控制应用而开发。其采用表面贴装(SMT)封装,兼具小型化和高性能的特点,广泛适用于消费电子、通信设备及工业控制等多个领域。
IMH1AT110 是一款双 NPN 预偏置晶体管,集成了两个 NPN 晶体管于一个封装内,使其在电路设计中提供了更高的集成度和更小的占用空间。
电气特性:
频率响应:
功率处理:
封装与安装:
外部元件推荐: -推荐在基极连接22kΩ电阻(R1)和发射极连接22kΩ电阻(R2),以实现最佳工作状态和性能效果。
IMH1AT110 可广泛应用于以下领域:
IMH1AT110 是一款为现代电子产品设计的高性能、紧凑型数字晶体管,具备出色的电气特性和高集成度,适合多种应用场景。凭借 ROHM 公司的卓越技术背景与质量保证,IMH1AT110 为工程师们提供了一种可靠且灵活的方案,为各种电子设备的性能提升和功能扩展提供了有力支持。在快速演变的技术环境中,IMH1AT110 将继续发挥重要作用,为实现更高效、更智能的产品设计提供动力。