IRLB8721PBF
IRLB8721PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 62A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.7 毫欧 @ 31A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1077pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 65W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRLB8721PBF手册
IRLB8721PBF概述
IRLB8721PBF 产品概述
IRLB8721PBF 是一款高效、低导通电阻的 N 通道 MOSFET，具有优异的性能特点，特别适合于各种高电流和高频率应用。这款 MOSFET 是由著名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，广泛应用于电源管理、开关电源、以及电机驱动等领域。以下是有关该元器件的详细信息和应用场景。
基本参数
FET 类型及技术
IRLB8721PBF 是一种 N 通道 MOSFET，针对现代电子电路设计的需求进行了优化。MOSFET 技术使其能够在较高的开关频率下工作，同时维持较低的导通损耗，满足高效能电源的设计要求。
漏源电压和漏极电流
该器件的漏源电压（Vds）高达 30V，能够处理高达 62A 的连续漏极电流（在 25°C 时的工作条件下）。这一较强的承载能力使得 IRLB8721PBF 非常适合用在对电流要求较高的应用中，比如电源转换器、直流电动机驱动和汽车电子系统。
导通电阻与驱动电压
IRLB8721PBF 在 Vgs 为 10V 下有着只有 8.7 毫欧的导通电阻（Rds(on)），在 31A 的电流下，其低导通电阻大大减少了功耗，提高了电能转化的效率。此外，该器件在 4.5V 和 10V 驱动电压条件下均可实现有效工作，提供灵活的设计选择。
栅极阈值电压
该 MOSFET 的 Vgs(th) 最大值为 2.35V（在 25µA 电流条件下），保证了低栅极驱动电压下的稳定开关特性，特别适合用于逻辑电平控制的电路设计。
输入电容与栅极电荷
IRLB8721PBF 在 15V 下的输入电容（Ciss）最大值为 1077pF，而在 4.5V 时的栅极电荷（Qg）最大值为 13nC。这些参数表明，该设备在高频应用中，能够提供较低的开关损耗，使其非常适合开关电源和高频变换器使用。
工作条件与封装
工作温度范围
IRLB8721PBF 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，提供了广泛的应用适用性，能够在极端环境下稳定运行。这一特点尤其适合汽车、航空航天以及其它高温或严酷环境的应用。
功率耗散
该 MOSFET 的最大功率耗散为 65W，令其能够在高负载条件下维持可靠的工作性能。这进一步提升了其在高电流场合下的应用可靠性，确保了系统的整体稳定性。
封装形式与安装类型
IRLB8721PBF 采用通孔封装（TO-220AB），这种结构不仅便于散热，而且易于与其他电路元件进行集成。TO-220 封装因其良好的散热性能而广泛应用于高功率应用中。
应用领域
IRLB8721PBF 的特性使其适用于多种应用领域，包括：
- 开关电源：凭借其低导通电阻和高效率，适合用于交流-直流（AC-DC）转换器和直流-直流（DC-DC）转换器。
- 电动机驱动：可用于驱动各种电动机，尤其是无刷直流电动机，确保高效能和高性能。
- 汽车电子：由于其高工作温度和耐用性，适合于电动助力转向、LED 驱动及其他汽车控制系统。
- 功率放大器：可用于音频放大器或者 RF 应用，提供高线性特性和低失真。
总之，IRLB8721PBF 是一款性能优异、功能全面的 N 通道 MOSFET，能够有效解决现代电子设计中的电源管理需求。其低导通电阻、高连续漏电流和工作温度范围广泛的特点，使其在各种行业的电源应用中格外受到青睐。无论是在高效电源设计、汽车电子产品或其他高性能电子产品中，IRLB8721PBF 都能提供可靠、稳定的解决方案。