FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 700pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 68W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFZ34NPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,广泛应用于开关电源、马达驱动和大功率电子设备等场景。该器件由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,具有出色的电气性能和可靠性,适合高温和严苛环境下的操作。
IRFZ34NPBF 采用高级 MOSFET 技术,优化了导通电阻和开关特性,确保了高效能和优秀的热管理能力。其 40 毫欧的最大导通电阻使其在高电流下运行时产生的热量最低,从而降低了散热要求,节省了系统成本与空间。IRFZ34NPBF 的最大功率耗散能力达到 68W,使其能够在高功率应用中保持卓越的性能。
由于其高电流承载能力和低导通损耗,IRFZ34NPBF 广泛应用于:
IRFZ34NPBF 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C,这使其特别适合高温和极端环境中的应用,确保在苛刻条件下的可靠操作。此外,TO-220AB 封装设计满足了通孔安装的需要,使其与多种PCB设计兼容,方便设计集成。
综上所述,IRFZ34NPBF 是一款高效能、功能强大的 N 通道 MOSFET,适合各种要求严格的电力电子应用。凭借其卓越的电气特性、广泛的应用范围及适应性,它为高性能电源设计提供了可靠的解决方案,是工程师设计中值得选择的元器件之一。选择 IRFZ34NPBF,您将获得高效能与可靠性兼备的优质产品,满足现代电子设计的各项挑战。