IRFZ34NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFZ34NPBF

商品编码: BM69417590
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.64g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 68W 55V 29A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
10106(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.84
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.84
--
50+
¥1.25
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFZ34NPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)55V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)34nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)700pF @ 25V
功率耗散(最大值)68W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFZ34NPBF手册

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IRFZ34NPBF概述

产品概述:IRFZ34NPBF

基础信息

IRFZ34NPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,广泛应用于开关电源、马达驱动和大功率电子设备等场景。该器件由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,具有出色的电气性能和可靠性,适合高温和严苛环境下的操作。

关键参数

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):55V
  • 连续漏电流(Id,25°C时):29A(在晶体管外壳温度 Tc 下)
  • 驱动电压:最大 Rds On,最小 Rds On 为 10V
  • 导通电阻(Rds(on)):在 Id 16A、Vgs 10V 下,电阻最大值为 40 毫欧。
  • 阈值电压(Vgs(th) 最大值):在 Id 250µA 时,最大值为 4V。
  • 栅极电荷(Qg):在驱动电压 10V 时,最大值为 34nC。
  • 栅极-源极电压(Vgs 最大值):±20V
  • 输入电容(Ciss 最大值):在 Vds 25V 时,最大值为 700pF。
  • 功率耗散(最大值):68W (在晶体管外壳温度 Tc 下)
  • 工作温度范围:-55°C 到 175°C(结温 TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220AB(TO-220-3形状)

设计优势

IRFZ34NPBF 采用高级 MOSFET 技术,优化了导通电阻和开关特性,确保了高效能和优秀的热管理能力。其 40 毫欧的最大导通电阻使其在高电流下运行时产生的热量最低,从而降低了散热要求,节省了系统成本与空间。IRFZ34NPBF 的最大功率耗散能力达到 68W,使其能够在高功率应用中保持卓越的性能。

应用场景

由于其高电流承载能力和低导通损耗,IRFZ34NPBF 广泛应用于:

  1. 开关电源:包括 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
  2. 马达控制:用于各类电机驱动设计,满足工业自动化与机器人技术的需求。
  3. 逆变器:在可再生能源应用中,如太阳能逆变器、风能发电等。
  4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中提供高效的电流控制。

可靠性与适用性

IRFZ34NPBF 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C,这使其特别适合高温和极端环境中的应用,确保在苛刻条件下的可靠操作。此外,TO-220AB 封装设计满足了通孔安装的需要,使其与多种PCB设计兼容,方便设计集成。

结语

综上所述,IRFZ34NPBF 是一款高效能、功能强大的 N 通道 MOSFET,适合各种要求严格的电力电子应用。凭借其卓越的电气特性、广泛的应用范围及适应性,它为高性能电源设计提供了可靠的解决方案,是工程师设计中值得选择的元器件之一。选择 IRFZ34NPBF,您将获得高效能与可靠性兼备的优质产品,满足现代电子设计的各项挑战。