IRF1404ZPBF
IRF1404ZPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.7 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4340pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF1404ZPBF手册
IRF1404ZPBF概述
IRF1404ZPBF 产品概述
产品简介
IRF1404ZPBF 是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能 N 通道 MOSFET，适用于各种工业和汽车应用。其出色的电气特性和强大的功率处理能力使其成为电源管理、电动机控制以及高频开关电源等不同领域的理想选择。
关键参数
IRF1404ZPBF 的重要规格包括：
- 漏源电压 (Vdss): 40V
- 连续漏极电流 (Id): 180A（在规定的控制温度下）
- 最大 Rds(on): 3.7 毫欧（在 Id 为 75A，Vgs 为 10V 时）
- 门极-源极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V（在 250µA 时）
- 输入电容 (Ciss): 最大 4340pF（在 25V 的 Vds 下）
- 栅极电荷 (Qg): 最大 150nC（在 10V 的 Vgs 下）
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C
- 最大功耗: 200W（在适当的Tc下使用）
封装与安装
IRF1404ZPBF 采用 TO-220AB 封装形式，该封装的设计有助于散热，确保在高功率工作条件下的稳定性和性能。通孔安装方式使得其在实际应用中更加灵活与便捷，适合于多种电路板设计。
性能优势
低导通电阻: 该 MOSFET 的低 Rds(on) 值使得它在高电流条件下工作时能够显著降低功率损耗，提升系统的整体效率。这对于电源管理与驱动电机的应用尤为重要，尤其是在电流需求波动较大的场合，能够有效提高电源的能效比。
宽广的工作温度范围: IRF1404ZPBF 的工作温度指标从 -55°C 到 175°C，适合于严苛环境下的工作要求。这使其可以广泛应用于汽车电子、工业自动化以及高温环境中，如军事设备和航空航天领域。
强大的电流承载能力: 可以承受高达 180A 的连续漏极电流，使其适用于高功率应用，如电动汽车驱动系统和高功率开关电源设计。
快速开关特性: 低输入电容和适中的栅极电荷使得 IRF1404ZPBF 能够在高频开关应用中达到更快的开关速度，有助于减少开关损耗，提升开关电源的性能。
应用领域
凭借其出色的性能，IRF1404ZPBF 在多个领域拥有广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源: 在高效电源转换电路中实现高电流和高电压的开关控制。
- 电动机驱动: 可用于驱动直流电动机和步进电机的控制应用，确保高效的电力使用。
- 电动车辆: 在电动汽车的动力系统中，提供高效的电力交换及控制方案。
- 工业控制设备: 在工业自动化设备中实现对电压和电流的精确控制。
结论
总体而言，IRF1404ZPBF 以其优异的电气性能、广泛的应用适应性和高可靠性，成为高功率MOSFET市场中的一颗璀璨明星。其低导通电阻、高电流承载能力及高温操作范围为设计工程师提供了丰富的设计灵活性，确保在各种复杂系统中的优异表现。无论是在电源管理、驱动控制还是在汽车应用方面，IRF1404ZPBF都展现出了极高的应用价值。