H11D1M
H11D1M参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | 电压 - 隔离 | 4170Vrms |
| 电流传输比（最小值） | 20% @ 10mA | 接通 / 关断时间（典型值） | 5µs，5µs |
| 输入类型 | DC | 输出类型 | 有基极的晶体管 |
| 电压 - 输出（最大值） | 300V | 电流 - 输出/通道 | 100mA |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | 1.15V | Vce 饱和压降（最大） | 400mV |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 6-DIP（0.300""，7.62mm） | 供应商器件封装 | 6-DIP |
| 通道数 | 1 | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | 80mA |
| 基本产品编号 | H11D |
H11D1M手册
H11D1M概述
H11D1M 产品概述
H11D1M 是由安森美（ON Semiconductor）制造的一款高性能光隔离器，具有单通道设计和优良的电气特性。该器件采用了 6-DIP（0.300 英寸，7.62 毫米）封装，适合于多种电路设计应用，特别是在需要高电压隔离的场合。H11D1M 的产品特性使其成为工业控制、数据传输和电源管理等领域的理想选择。
关键特性
电气隔离能力: H11D1M 的隔离电压高达 4170 Vrms，这使其能够有效地隔离输入和输出，从而保护下游电路免受潜在的高压或噪声干扰。
输出能力: 在设计时，该光耦的输出最大电压可达 300V，最大输出电流为 100mA，能够满足大多数控制和驱动应用的需求。
输入与输出配置: H11D1M 的输入类型为直流（DC），输出类型为有基极的晶体管。其典型的正向电压（Vf）为 1.15V，提供了良好的输入响应和灵敏度。
性能参数: 在额定条件下，H11D1M 的电流传输比（CTR，最小值）为 20% @ 10mA，即输出电流至少为输入电流的 20%。这在一定程度上反映了其转换效率和响应能力。此外，其接通和关断时间典型值均为 5 微秒，使其在开关控制方面具有良好的动态性能。
耐高温设计: H11D1M 的工作温度范围为 -40°C 至 100°C，确保其在极端环境条件下仍然稳定工作，适合于严苛的工业和汽车应用。
便捷安装: H11D1M 的通孔安装方式便于用户在各种电路板上进行焊接和布线，提供了极大的设计灵活性和便利性。
应用场景
H11D1M 的高电压隔离和优良的输出特性使其广泛应用于各种电子设备中。以下是一些主要的应用领域：
工业控制系统: 用于电机驱动、PLC（可编程逻辑控制器）和其他控制设备的光电隔离。
数据通信: 在数据传输电路中，H11D1M 可以有效隔离信号，从而提高系统的抗干扰能力，确保信号完整性。
电源管理: H11D1M 可用于开关电源中的输出反馈回路，以实现高效控制和监控。
汽车电子: 由于其优良的耐温性能，H11D1M 适合用于汽车电气系统中的信号隔离和控制。
结论
总的来说，H11D1M 是一款集高电压隔离、优秀输出能力和便捷安装于一身的高性能光耦合器。其多种优良特性使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元件，帮助设计师在确保系统性能的同时，提升产品的可靠性。无论是在工业、通信还是汽车应用中，H11D1M 都能满足严格的设计要求，为用户提供出色的解决方案。