功率(Pd) | 245W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 16pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.63Ω@10V,4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 32nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 800V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.65nF | 连续漏极电流(Id) | 7.4A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
AOTF8N80 是一款高性能的N沟道MOSFET(场效应管),其主要参数为额定功率达到50W、耐压可达800V、额定电流为7.4A。其采用TO-220封装,在散热方面表现优异,适用于各种高电压和高功率的应用场景。这款产品由知名的电子元器件制造商AOS(美国开源半导体)生产,旨在满足工业、电力及消费类电子设备对高效能和可靠性的需求。
高额定电压: AOTF8N80 的静态耐压可达到800V,使其能够在高电压应用中可靠工作。这样的高电压能力使该产品在电力转换、电机驱动器以及其他要求较高的绝缘需求的领域中,具有广泛的适用性。
较高的电流承受能力: 该MOSFET的额定电流为7.4A,适合于需要较高电流输出的电路。这种特性使其在功率放大、开关电源和电源管理方面表现出色。
优秀的开关性能: AOTF8N80 的低导通电阻(R_DS(on))提供了高效的输出和开关性能。这一特性不仅可以提高系统的能量效率,还能大幅度降低电路的热量产生,延长器件的寿命。
优越的热管理: TO-220封装能够支撑良好的散热,尤其是在高功率应用中,能够有效地降低结温,提升器件的性能稳定性。配合合适的散热片,AOTF8N80能够在严苛的工作环境中稳定运行。
AOTF8N80 作为一款高性能N沟道MOSFET,广泛应用于以下领域:
开关电源: 在开关电源(SMPS)中,AOTF8N80能够用作主开关元件,以其高效率和优秀的开关特性来提升电源的整体性能,降低能量损耗。
马达驱动: 在电机控制领域,AOTF8N80 可用于各种电机驱动应用,包括直流电机和步进电机的控制。这种MOSFET能够实现高效的电流控制,从而提升电机的工作效率。
电力电子: 作为电力电子控制的核心元件,AOTF8N80 在逆变器、变频器和功率调节器中有着重要的应用,其高耐压能力可使其在高功率环境下依然稳定运行。
续航设备: 在各种需要长续航能力的设备中,例如电动车及可再生能源系统,AOTF8N80能够以其高效的开关性能增强整个系统的能量输出。
AOTF8N80 是一款具有高耐压、高电流、高效能和良好散热性能的N沟道MOSFET,适合用于多种高功率电路及应用中。其稳定的性能和高可靠性使其在现代电子应用中占据了重要的地位。凭借AOS品牌的背景,AOTF8N80为系统设计提供了安全、高效和经济的解决方案,是电子工程师在设计和优化电源电路时的重要选择。对于需要高效电流控制和节能设计的各种电气和电子应用,AOTF8N80无疑是值得推荐的产品。