功率(Pd) | 3.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@100V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@10V,6A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@100V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
AO4482是一款来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor)的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率可达3.1W,耐压高达100V,最大漏电流为6A。该器件采用8-SOIC封装,广泛应用于电流控制和开关电源等领域。作为现代电子设备中不可或缺的核心元件之一,AO4482凭借其卓越的性能和高效的散热能力,在市场上受到广泛关注。
AO4482的设计考虑到了现代应用的需求,其具备以下特质:
AO4482广泛应用于以下领域:
AO4482 N沟道MOSFET以其卓越的电气性能和可靠的工作特性,成为许多现代电路设计的理想选择。通过关注其低功耗、高效能和兼容性,这款器件不仅能够满足日益增长的设计需求,同时也为设计师提供了更大的灵活性,让他们在设计中实现创新。在日益激烈的市场竞争中,AO4482证明了它是电子元器件中的佼佼者,是保证设备高效、安全运作的重要基础。