FDV304P

FDV304P 产品概述

产品简介

FDV304P 是一种高性能的 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），由全球知名半导体制造商安森美（ON Semiconductor）推出，采用小型 SOT-23 封装。这款 MOSFET 专为各种低功耗应用设计，具有优异的电气性能和优良的散热特性，使其广泛应用于开关电源、控制电路和信号放大等领域。

基本参数

FDV304P 的漏源电压（Vdss）最大可达 25V，意义在于它能够在给定的电压下安全工作，适应多种电子设备的需求。该器件在 25°C 时具备 460mA 的连续漏极电流（Id），适用于低电流需求的应用场合。

驱动电压方面，FDV304P 提供了 2.7V 和 4.5V 下的最小与最大 Rds On（导通电阻），在 Id 为 500mA 时，导通电阻的最大值为 1.1Ω。这表明 FDV304P 在导通状态下的电阻很小，从而减少功率损耗，提高效率。此外，Vgs(th)（由栅极到源极的阈值电压）的最大值为 1.5V（@ 250µA），显示出了该 MOSFET 对栅极电压变化的良好敏感度。

电气特性

FDV304P 的栅极电荷（Qg）在 4.5V 时最大为 1.5nC，这意味着在开关频率较高的应用中，它可以实现更快的开关速度，有助于提高整体电路效率。该器件在输入电容（Ciss）方面也表现出色，最大值为 63pF（@ 10V），确保其在高速应用中仍然具有良好的表现。

FDV304P 的最大工作功率耗散为 350mW（在 Ta 下），使其适用于低功耗电路设计。广泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适应各种恶劣的环境条件，扩展了其应用场景。

封装与安装

FDV304P in SOT-23 封装类型，属于表面贴装型（SMD）器件，具有极小的占板面积，使其适合用于现代紧凑型电路和便携式设备。同时，TO-236-3、SC-59 的封装形式为工程师提供了多种选择与设计灵活性。

应用领域

1. 电源管理：FDV304P 极适合用于开关稳压电源（SMPS），能够提供高效的输出控制，降低能量损耗。

2. 负载开关：在便携式设备中，FDV304P 可作为负载开关组件，能够在系统待机与工作状态之间有效切换，从而延长电池使用寿命。

3. 信号放大：在低功耗音频放大器中运用，FDV304P 可作为开关器件，实现高保真度音频信号放大。

4. 数码产品：其优良的电气性能和紧凑的封装使其成为智能手机、平板电脑等数码产品的重要组成部分，实现信号的快速处理与控制。

5. 传感器电路：在各种传感器应用中，实现精确的控制和调节功能，以适应实时监测的需求。

总结

FDV304P 是一款集高性能、节能和可靠性于一身的 P 通道 MOSFET。凭借其低导通电阻、高可靠性和宽广的工作温度范围，它为不同类型的电子应用提供了理想的解决方案。安森美凭借其卓越的设计与生产能力，确保了 FDV304P 的稳定性和高品质，使其成为电子工程师和设计师的重要选择。