安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
DTA143EUAT106是一款高性能的PNP型数字晶体管,由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)出品。该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,具体为UMT3封装,其紧凑的尺寸和低电流消耗使其非常适合现代电子设备中对空间和效率有高要求的应用场合。凭借其卓越的性能和灵活的应用性,DTA143EUAT106广泛应用于各种数字电路和开关电源等场景。
电流能力: DTA143EUAT106的最大集电极电流(Ic)为100mA,能够满足多数基础控制和开关电路的需求。同时,该晶体管在截止状态下的集电极电流最大值为500nA,这使得它在静态状态下具有极低的漏电流,进一步提高了其可靠性和效率。
电压特性: 该晶体管的集射极击穿电压(Vce)最大值为50V,从而可以在相对较高的电压条件下安全工作。这种特性使其适用于各种电源电压范围的应用,尤其在高电压环境中提供了额外的安全余地。
饱和压降: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,DTA143EUAT106的饱和压降(Vce(sat))最大值为300mV(在500µA和10mA时测试得出),这表明其在切换状态时的能量损失较小,能够有效提高整体电路的能效。
频率响应: 此型号晶体管的跃迁频率可达到250MHz,具备良好的高频特性,非常适合需要高切换频率的应用,如高效率开关电源和射频应用等。
增益特性: DTA143EUAT106的直流电流增益(hFE)在特定条件下表现良好,最小值为30(10mA,5V),这意味着在小信号放大电路中可以使用较小的基极电流来控制较大的集电极电流,从而简化电路设计。同时,其反馈电阻器(R1和R2均为4.7kΩ)的巧妙设计提升了稳定性和灵敏度。
功率利用: DTA143EUAT106的最大功率为200mW,使其能够在多种工作条件下保持稳健的性能。
DTA143EUAT106的灵活性使其适用于多种电子应用,包括但不限于:
综合考虑,DTA143EUAT106是一款功能强大且适应性强的PNP数字晶体管,能够满足现代电子设计中对高效率、高集成度和低功耗的严格要求。其宽广的应用适用性,使其成为设计者规划电子线路或系统时的一个理想选择。ROHM作为一家领军企业,其产品质量和可靠性在业界享有良好声誉,而DTA143EUAT106无疑是其产品线中闪亮的一颗明珠。