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FQB30N06LTM
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
D²PAK（TO-263AB）
包装 :
编带
重量 :
1.985g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.75W；79W 60V 32A 1个N沟道 D2PAK(TO-263AB)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.8按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.8
--
100+
￥4.63
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
FQB30N06LTM参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1040pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），79W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263AB） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FQB30N06LTM手册
无数据
FQB30N06LTM概述
FQB30N06LTM 产品概述
概述
FQB30N06LTM 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）公司生产。该器件设计用于高效能的电源管理及开关应用，尤其适合于电机驱动、开关电源和电池管理系统等场合。FQB30N06LTM 提供卓越的导通性能和低导通电阻，从而帮助设计师在满足负载需求的同时实现较低的功耗和更高的效率。
关键参数
该 MOSFET 的关键电气参数如下：
- 漏源电压（Vds）: 最大可承受60V的漏源电压，适合中高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 25°C 时可达到32A的连续漏极电流，提供了良好的负载能力。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在栅极电压Vgs为10V时，最大导通电阻为35毫欧（@16A），确保低损耗和高导电能力。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大为2.5V（@250µA），使其在较低电压下就能导通，增强了开关速度和响应特性。
- 栅极电荷（Qg）: 在Vgs为5V时的最大栅极电荷为20nC，有助于降低驱动电路的功耗。
- 输入电容（Ciss）: 最大为1040pF（@25V），确保更快的开关速度和更小的开关损耗。
- 功率耗散: 在环境温度下，其最大功耗可为3.75W，而在结温下可达到79W，为器件在各种应用中提供了灵活的散热能力。
温度和封装
- 工作温度范围: FQB30N06LTM 的工作温度可以在-55°C 到 175°C 之间，适合高温及恶劣环境应用。
- 封装类型: 该器件采用 D²PAK（TO-263AB）封装，便于表面贴装，适合高密度电路板设计。
应用场景
FQB30N06LTM MOSFET 适用于众多应用场景，主要包括：
开关电源（SMPS）: 利用其低导通电阻和高效率，FQB30N06LTM 可作为开关元件在开关电源中使用，以实现高效的电源转换。
电机驱动: 其高电流承载能力及快速开关特性，使其在直流电机和步进电机驱动中表现出色，能够处理动态负载且减少热量积累。
电池管理系统: 在电池充放电过程中，该器件可有效控制电流流动，确保电池的安全和性能。
高频开关应用: 高输入电容和较小的栅极电荷使得FQB30N06LTM在高频应用中表现优良，适用于功率放大器和定时电路。
总结
FQB30N06LTM 是一款具备良好性能、高温适应性和广泛应用潜力的 N 通道 MOSFET。凭借其出色的电气特性和简单的表面贴装设计，它为工程师在设计高效、可靠的电源管理及开关应用提供了理想的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，FQB30N06LTM 都能够超越传统 MOSFET 的性能限制，并为高效能设计提供强有力的支持。