LM311DR2G
LM311DR2G参数
| 类型 | 通用 | 元件数 | 1 |
| 输出类型 | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL | 电压 - 供电，单/双 (±) | 5V ~ 30V，±2.5V ~ 15V |
| 电压 - 输入补偿（最大值） | 7.5mV @ ±15V | 电流 - 输入偏置（最大值） | 0.25µA @ ±15V |
| 电流 - 静态（最大值） | 7.5mA | 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
LM311DR2G手册
LM311DR2G概述
LM311DR2G 产品概述
产品简介
LM311DR2G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的双比较器，采用 8-SOIC 封装，特别适用于数字电路中模拟信号的比较与转换。该器件采用开路集电极（Open Collector）配置，支持多种逻辑输出类型，包括 DTL、MOS、RTL 和 TTL。这使得 LM311 在多种应用场景中具有极高的通用性和灵活性。
主要特点
电源电压范围：LM311 可以在 5V 到 30V 的单电源供电或 ±2.5V 到 ±15V 的双电源供电下稳定工作。这为设计人员提供了更大的电源选择灵活性，可在不同的应用环境中使用。
输入电压和电流特性：
- 电压 - 输入补偿最大值为 7.5mV，确保比较器能够在微小的输入电压差异下准确判断输入信号的状态。
- 电流 - 输入偏置最大值仅为 0.25µA，这使得 LM311 适合用于低功耗的应用。
- 静态电流最大值为 7.5mA，保证了在工作情况下的低能耗。
工作温度范围：LM311DR2G 的工作温度范围为 0°C 至 70°C，适合大多数工业和商业环境的应用需求。
封装类型：8-SOIC （0.154" 宽，3.90mm），表面贴装型设计，适合高密度的电路板布局，为现代电子设备的设计提供了更多的空间和灵活性。
输出类型：开路集电极输出方式使得该器件可以通过外部拉高电阻任意实现与不同电压等级的逻辑兼容，从而适应多样化的逻辑电路需求。
应用场景
LM311DR2G 的广泛适用性使其适合于多种电子应用，包括：
信号处理：由于其超低偏置电流和高输入阻抗，该比较器非常适合在各种信号处理中使用，如模拟信号与数字信号的转换。
电压比较：适用于电池电量监测、电压监控等领域，通过将待比较的电压信号与参考电压信号进行比较，从而进行电源管理。
过压保护和欠压保护：可用于电源应用中的过压和欠压检测。这使得 LM311 适用于各种电源管理和保护电路。
脉冲宽度调制（PWM）调节：在调光和速度控制系统中，LM311 可以用作准确的 PWM 信号生成器。
传感器接口：能够作为传感器输出信号的比较器，特别是用于温度传感器、压力传感器等信号的处理。
结论
LM311DR2G 是一款高性能、通用性强的比较器，适合于各种复杂的电子设计。其高输入阻抗、低功耗及广泛的电源电压范围，使其能够在多个电子应用场景中发挥重要作用。选择 LM311DR2G，设计师可以在多个领域中方便地实现信号比较功能，满足现代电子产品对精确度和可靠性的需求。