晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
供应商器件封装 | EMT3F(SOT-416FL) |
DTC114EEBTL 是一款由 ROHM(罗姆)推出的数字晶体管,专为低功耗应用而设计。作为一款 NPN 型预偏置晶体管,该产品具有出色的电流控制特性和频率响应,适用于多种检测和开关应用。其稳定的工作参数使其成为现代电子电路中不可或缺的组件之一。
DTC114EEBTL 的封装形式为 EMT3F(SOT-416FL),是一种紧凑的表面贴装型设计,适合现代小型化电子产品的需求。这种封装使得该晶体管具有良好的散热性能,能够在较高的功率下稳定工作,并符合高密度贴装的要求。
使用这些电阻器可以帮助稳定晶体管的工作状态,并进一步优化其增益和开关特性。
根据工作条件的不同,DTC114EEBTL 提供了多种 DC 电流增益(hFE)值。在 5mA 和 5V 的条件下,hFE 的最小值为 30。这一指标使得该晶体管在应用于开关和放大电路时,能提供有效的电流放大,有助于高效驱动负载。
DTC114EEBTL 可广泛应用于各类电子设备中,包括:
在使用 DTC114EEBTL 进行电路设计时,设计师需要注意以下几点:
DTC114EEBTL 是一款高性能的 NPN 预偏置晶体管,适合于各种现代电子应用。其优秀的技术参数以及紧凑的封装设计保证了其在多个应用场景中的高效性和可靠性。凭借出色的电流增益、低饱和压降和高频响应,DTC114EEBTL 将为设计师带来更多创新的可能性,成为理想的选择。无论是在数字电路、信号处理还是开关电源领域,这款晶体管都能凭借其优秀的性能帮助客户解决各种电路设计的挑战。