DTC114EEBTL 产品实物图片
DTC114EEBTL 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC114EEBTL

商品编码: BM69417493
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3F(SOT-416FL)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置 SOT-416FL
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.753
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.753
--
200+
¥0.251
--
1500+
¥0.157
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC114EEBTL参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-89,SOT-490
供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)

DTC114EEBTL手册

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DTC114EEBTL概述

DTC114EEBTL 产品概述

概述

DTC114EEBTL 是一款由 ROHM(罗姆)推出的数字晶体管,专为低功耗应用而设计。作为一款 NPN 型预偏置晶体管,该产品具有出色的电流控制特性和频率响应,适用于多种检测和开关应用。其稳定的工作参数使其成为现代电子电路中不可或缺的组件之一。

基本特性

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 集电极电流(Ic): 最大 50mA
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大 50V
  • 功率: 最大 150mW
  • 工作频率: 高达 250MHz 提供卓越的信号处理能力
  • 饱和压降: 在 500µA 和 10mA 下,Vce 饱和压降的最大值为 300mV,确保晶体管在导通状态下的最低损耗
  • 截止电流(Ic_cutoff): 最大 500nA,适用于对省电要求较高的应用

结构与封装

DTC114EEBTL 的封装形式为 EMT3F(SOT-416FL),是一种紧凑的表面贴装型设计,适合现代小型化电子产品的需求。这种封装使得该晶体管具有良好的散热性能,能够在较高的功率下稳定工作,并符合高密度贴装的要求。

电阻器配置

  • 基极电阻(R1): 10 kΩ
  • 发射极电阻(R2): 10 kΩ

使用这些电阻器可以帮助稳定晶体管的工作状态,并进一步优化其增益和开关特性。

DC 电流增益(hFE)

根据工作条件的不同,DTC114EEBTL 提供了多种 DC 电流增益(hFE)值。在 5mA 和 5V 的条件下,hFE 的最小值为 30。这一指标使得该晶体管在应用于开关和放大电路时,能提供有效的电流放大,有助于高效驱动负载。

应用场景

DTC114EEBTL 可广泛应用于各类电子设备中,包括:

  • 数字电路: 由于其高频特性,该晶体管非常适合用于数字电路中的开关和放大应用。
  • 信号处理: 在音频放大器或射频放大器中,DTC114EEBTL 能够提供良好的增益和噪声抑制性能。
  • 开关电源: 该晶体管可用于开关电源电路,稳定电源输出,并提高功率转换效率。

设计考量

在使用 DTC114EEBTL 进行电路设计时,设计师需要注意以下几点:

  1. 工作电压及电流的匹配: 确保集电极电流与基极电流的比例合理,以防损坏晶体管。
  2. 周围环境: 考虑环境温度和散热条件,以确保晶体管在工作过程中不会过热。
  3. 电路布局: 由于其较高的工作频率,合理规划电路布局有助于降低电磁干扰和信号损失。

总结

DTC114EEBTL 是一款高性能的 NPN 预偏置晶体管,适合于各种现代电子应用。其优秀的技术参数以及紧凑的封装设计保证了其在多个应用场景中的高效性和可靠性。凭借出色的电流增益、低饱和压降和高频响应,DTC114EEBTL 将为设计师带来更多创新的可能性,成为理想的选择。无论是在数字电路、信号处理还是开关电源领域,这款晶体管都能凭借其优秀的性能帮助客户解决各种电路设计的挑战。