AON2403 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON2403

商品编码: BM69417484
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN2x2B-6L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.8W 12V 8A 1个P沟道 DFN-6-EP(2x2)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.75
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.75
--
100+
¥2.19
--
750+
¥1.97
--
1500+
¥1.85
--
3000+
¥1.76
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON2403参数

功率(Pd)2.8W反向传输电容(Crss@Vds)258pF@6V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)21mΩ@4.5V,8A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@4.5V
漏源电压(Vdss)12V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.37nF@6V连续漏极电流(Id)8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)300mV@250uA

AON2403手册

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AON2403概述

AON2403 产品概述

一、产品介绍

AON2403是一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其具备优异的电流承载能力和低导通电阻,非常适合用于各种电源管理应用中。该器件的额定功率为2.8W,最大工作电压为12V,能够承载高达8A的电流,广泛应用于开关电源、直流电机驱动、负载开关和电池管理系统等领域。

二、器件特征

  1. 封装形式: AON2403采用DFN-6-EP(2x2mm)封装,这种相对小型的封装形式使得AON2403非常适合空间受限的应用,如便携式设备和紧凑型电子产品。

  2. 电气特性:

    • 最大漏极源极电压(V_DS): 12V
    • 最大漏极电流(I_D): 8A
    • 导通电阻(R_DS(on)): 在标准条件下,该器件具有极低的导通电阻,能够有效降低功耗,提高效率。
    • 门源阈值电压(V_GS(th)): 确保在较低电压下即可开启,便于与低压驱动电路配合使用。
  3. 功率处理能力: AON2403的最大功耗为2.8W,这使得该器件在典型的开关电源和负载开关应用中能够高效工作,确保系统运行的稳定性和可靠性。

三、应用场景

AON2403因其优异的性能和灵活的应用特性,广泛用于以下领域:

  1. 开关电源: 在开关电源中,AON2403可以作为主要的开关元件,通过快速的开关操作实现高效的电压转换,降低能量损耗。

  2. 直流电机驱动: 该MOSFET能够在直流电机驱动电路中用作开关元件,为电机提供所需的电流和电压,确保高效和稳定的运行。

  3. 负载开关: AON2403在负载开关应用中能够方便控制各种负载的通断,有效保护系统免受过载或短路的危害。

  4. 电池管理系统: 适用于电池管理系统,通过控制电池的充放电,确保电池的安全与高效运营。

四、性能优势

  1. 高效率: 由于其低导通电阻,AON2403可最大限度地降低能量损耗,提升整体电路的效率,尤其在高频操作的情境下更为显著。

  2. 散热性能好: DFN封装不仅节省PCB空间,而且良好的热导性能可以有效散热,保证器件在高电流工作下的稳定性。

  3. 可靠性高: AON2403的设计符合高标准的工业要求,提供较高的可靠性,适用于各种苛刻环境下的应用。

五、结论

总之,AON2403是一款功能强大的P沟道MOSFET,凭借其低导通电阻和稳定的电气性能,可以在众多应用中提供高效的电源管理解决方案。随着电子设备日趋复杂,对元器件的要求也随之提高,AON2403凭借出色的性能和可靠性,必将成为电子设计工程师们的优选器件。无论是在便携式设备、家用电器,还是工业电源中,AON2403都能够发挥其独特的优势,为电路设计带来更多可能。