安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 72 毫欧 @ 4.5A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 415pF @ 50V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 功率耗散(最大值) | 2.8W(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
AON2290是一款高性能的N通道MOSFET,采用表面贴装型封装(DFN2x2B-6L),具有出色的导通性能和热性能,非常适合于各种功率管理应用。该器件具有高达100V的漏源电压(Vdss),连续漏极电流可达4.5A,并且具备最大功率耗散能力为2.8W,适用于对性能要求较高的电路设计。
导通电阻(Rds(on)): AON2290的导通电阻在不同的电流(Id)和栅极驱动电压(Vgs)条件下表现出优越的性能。在4.5A的工作电流下,其最大导通电阻(Rds(on))为72毫欧(@10V),表明该器件在高电流情况下能够有效减少功耗和热损耗。
栅极驱动电压: 该器件支持的栅极驱动电压范围为4.5V至10V,方便兼容现代电子设计中的多种驱动电压要求。在4.5V时,能有效控制电流流动,确保器件的高效能工作。
输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg): AON2290在50V下的输入电容最大值为415pF,极低的电荷特性(Qg最大值为12nC@10V)使得其在快速开关应用中具有极好的响应速度和效率。
阈值电压(Vgs(th)): 器件的阈值电压最大为2.8V @ 250µA,这意味着在该电压下,MOSFET开始导通,对于设计者在选择驱动电压时提供了便利。
AON2290具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C(TJ)。此特性使得该器件能够在严苛环境下可靠工作,适合用于汽车、工业以及消费类电子产品等领域。
AON2290适用于众多电子应用,包括但不限于:
AON2290采用表面贴装DFN2x2B-6L封装,这种紧凑型封装不仅有助于减小电路板的占用面积,还可提高散热效率,进一步提升电路的可靠性。此外,DFN封装具备良好的高频性能,能够支持更高的开关频率,适合现代高效电源设计的需求。
综上所述,AON2290是一款优秀的N通道MOSFET,具备出色的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,非常适合应用于多种功率管理和开关控制场合。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,AON2290都能为设计师提供可靠的性能,满足高效率和高功率需求的挑战。选择AON2290,将为您的设计带来更高的效率和稳定性。