AON2290 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON2290

商品编码: BM69417483
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN2x2B-6L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-100V-4.5A(Ta)-2.8W(Ta)-6-DFN-EP(2x2)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.47
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.47
--
100+
¥2.78
--
750+
¥2.47
--
1500+
¥2.34
--
3000+
¥2.23
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON2290参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 4.5A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)415pF @ 50VVgs(最大值)±20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)12nC @ 10V
漏源电压(Vdss)100V功率耗散(最大值)2.8W(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250µA

AON2290手册

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AON2290概述

产品概述:AON2290 MOSFET

一、基本信息

AON2290是一款高性能的N通道MOSFET,采用表面贴装型封装(DFN2x2B-6L),具有出色的导通性能和热性能,非常适合于各种功率管理应用。该器件具有高达100V的漏源电压(Vdss),连续漏极电流可达4.5A,并且具备最大功率耗散能力为2.8W,适用于对性能要求较高的电路设计。

二、电子特性

  1. 导通电阻(Rds(on)): AON2290的导通电阻在不同的电流(Id)和栅极驱动电压(Vgs)条件下表现出优越的性能。在4.5A的工作电流下,其最大导通电阻(Rds(on))为72毫欧(@10V),表明该器件在高电流情况下能够有效减少功耗和热损耗。

  2. 栅极驱动电压: 该器件支持的栅极驱动电压范围为4.5V至10V,方便兼容现代电子设计中的多种驱动电压要求。在4.5V时,能有效控制电流流动,确保器件的高效能工作。

  3. 输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg): AON2290在50V下的输入电容最大值为415pF,极低的电荷特性(Qg最大值为12nC@10V)使得其在快速开关应用中具有极好的响应速度和效率。

  4. 阈值电压(Vgs(th)): 器件的阈值电压最大为2.8V @ 250µA,这意味着在该电压下,MOSFET开始导通,对于设计者在选择驱动电压时提供了便利。

三、工作温度范围

AON2290具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C(TJ)。此特性使得该器件能够在严苛环境下可靠工作,适合用于汽车、工业以及消费类电子产品等领域。

四、应用场景

AON2290适用于众多电子应用,包括但不限于:

  • DC-DC转换器:其低Rds(on)和高电流承载能力使其在提升转换效率方面具有突出优势。
  • 功率开关:在电源管理电路中用作高效的功率开关,能够有效控制电流流动。
  • 电机驱动:其高频特性和大电流承载能力使其适合用于电动机驱动应用。
  • LED驱动:可用于LED驱动电路中,保证LED在高电流条件下的稳定性和高效率。
  • 电池管理:在电池充放电管理电路中,可以实现更加高效的功率转换和热量管理。

五、封装与布局

AON2290采用表面贴装DFN2x2B-6L封装,这种紧凑型封装不仅有助于减小电路板的占用面积,还可提高散热效率,进一步提升电路的可靠性。此外,DFN封装具备良好的高频性能,能够支持更高的开关频率,适合现代高效电源设计的需求。

总结

综上所述,AON2290是一款优秀的N通道MOSFET,具备出色的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,非常适合应用于多种功率管理和开关控制场合。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,AON2290都能为设计师提供可靠的性能,满足高效率和高功率需求的挑战。选择AON2290,将为您的设计带来更高的效率和稳定性。