CSD19534Q5A
CSD19534Q5A参数
| 制造商 | Texas Instruments | 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.1 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），63W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-VSONP（5x6） | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1680pF @ 50V | 基本产品编号 | CSD19534 |
CSD19534Q5A手册
CSD19534Q5A概述
产品概述：CSD19534Q5A
制造商：德州仪器（Texas Instruments）
产品系列：NexFET™
封装类型：PDFN-8 (5x6)
状态：有源
概述
CSD19534Q5A 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，属于德州仪器的 NexFET™ 系列。该产品专为高功率应用设计，其出色的电气特性和有效的热管理使其成为电源管理、DC-DC 转换器和电气驱动装置的理想选择。本产品以其高达 50A 的连续漏极电流和 100V 的漏源电压能力，适用于各种工业和消费电子产品。
主要特性
高电流容量：CSD19534Q5A 提供最大 50A 的连续漏极电流，这在需要高负载和快速开关的应用场景中非常关键。
低导通电阻：在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 15.1 毫欧。这一特性非常重要，因为低导通电阻可以显著减少能量损耗，从而提升整体效率。
宽工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，意味着它能够在极端环境条件下工作，适用于各种恶劣的工业环境。
高功率耗散能力：在自然对流条件下，最大功率耗散为 3.2W，而在适当的散热条件下可达 63W，提供了极高的设计灵活性，符合现代电子设备对热管理的要求。
低输入电容：在 50V 时，输入电容 Ciss 最大值为 1680pF，意味着在高频应用中它具有良好的响应速度，适合于高效率的开关电源设计。
高栅极电荷：在 10V 的驱动电压下，栅极电荷 Qg 最大值为 22nC，确保快速开关响应，并帮助降低开关损耗。
应用领域
CSD19534Q5A 主要用于以下领域：
- 电源管理：用于各种高效 DC-DC 转换器，提升电源转换的整体效率。
- 电动汽车：适用于电动汽车的驱动电机控制和高功率管理系统。
- 工业自动化：在需要高可靠性与稳定性的工业设备中，例如电机驱动和机器人控制。
- 消费电子：高效的电源设计提升消费电子产品如智能手机、平板电脑等的性能。
性能优化
选择 CSD19534Q5A 作为设计元素时，工程师和设计师应考虑到其卓越的能力，尤其是在高频和高负载条件下。其设计使得组件能够迅速响应开关操作，减少总的导通损耗和提升 thermal performance。与传统 MOSFET 相比，NexFET™ MOSFET 的结构大幅降低了电流开关时的能量损失，进一步确保了系统的能效。
结论
CSD19534Q5A 是德州仪器一款技术先进且高性能的MOSFET，专为电源管理及高效能应用而设计。凭借其低导通电阻、高功率处理能力与优越的热性能，它将在各种电气应用中大显身手，帮助设计师满足市场需求。无论是在恶劣的工业环境，还是在高性能的消费电子产品中，CSD19534Q5A均能提供卓越的表现。