BSC014N04LSATMA1
BSC014N04LSATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），96W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSO8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC014N04LSATMA1手册
BSC014N04LSATMA1概述
产品概述：BSC014N04LSATMA1 N-Channel MOSFET
BSC014N04LSATMA1 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由全球领先的半导体供应商英飞凌（Infineon）制造。该器件用于多种电子应用，尤其是在功率管理、开关电源和电动机控制等领域，展现出卓越的效率和可靠性。
主要特性
电压和电流规格： BSC014N04LSATMA1 的漏源电压（Vdss）为 40V，允许其在较高 Voltage 的应用中工作。同时，该器件具备持续漏极电流（Id）的高性能，常温下可达 32A，在极高的散热条件下（比如通过导热材料）可达到100A。从而让设计工程师在高功率应用中拥有更大的设计灵活性。
低导通电阻： 该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）在10V 及 50A 时达到最大值仅为 1.4 毫欧。这一低导通电阻特性显著减少了导通损耗，提高了系统效率，且降低了器件在工作过程中的发热量。对于功率转换应用，特别是在低电压高电流的情形下，显得尤为重要。
适应性广泛的栅极电压： BSC014N04LSATMA1 的最大栅极源极电压（Vgs）为 ±20V，并在 4.5V 和 10V 的栅极驱动电压下都能够实现优良的 Rds(on) 性能。这为设计者提供了灵活的驱动选项，以适应不同的控制电路。
高效的开关特性： 器件的栅极电荷（Qg）在10V 时为 61nC，较小的栅极电荷使得其具备快速开关能力，而较低的输入电容（Ciss 为 4300pF @ 20V）也降低了驱动电路的负担，进一步提升了系统的整体效率。
出色的功率处理能力： BSC014N04LSATMA1 具有可承受的最大功耗为2.5W（在环境温度下）以及 96W（在强制散热情况下）。这为 MOSFET 在高功率应用中的稳定性和安全性提供了保障。
工作温度与封装
该器件能够在 -55°C 到 150°C 的工作温度范围内正常工作，适合各种严苛的环境条件。这使其非常适合在汽车、工业控制及其他高温应用环境下使用。
封装形式采用了 SuperSO8（PG-TDSON-8），这是一种表面贴装型的设计，可实现高密度的电路布局，同时提高散热性能。该封装的设计也减少了电路板的占用空间，使得其在小型化、高集成度的电子设备中得以广泛应用。
应用领域
考虑到 BSC014N04LSATMA1 的多种特性，该 MOSFET 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：频繁切换的应用场景，能够为整个电源系统提供高效的功率管理。
- 电动机驱动器：能够处理高电流应用，适合用于电动车和工业电机驱动控制。
- 电源管理芯片（PMIC）：在更复杂的电源管理设计中，实现高效率及低热发散的需求。
总结
总的来说，BSC014N04LSATMA1 N 通道 MOSFET 是一款结合了高效率、低导通电阻与广泛应用范围的先进器件，其可靠的性能和优越的参数，使之在高功率电子设计中具有显著的优势。无论是在汽车电子、工业应用或是开关电源，BSC014N04LSATMA1 都能极大地提升系统的性能与稳定性。