AON7430 产品实物图片
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AON7430

商品编码: BM69417447
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x3A-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W;23W 30V 34A;13A 1个N沟道 DFN-8-EP(3x3)
库存 :
3725(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
1.29
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.29
--
100+
¥0.993
--
1250+
¥0.827
--
2500+
¥0.753
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7430参数

功率(Pd)3.1W;23W反向传输电容(Crss@Vds)100pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@20A,10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)910pF@15V连续漏极电流(Id)34A;13A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA

AON7430手册

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AON7430概述

AON7430 产品概述

1. 产品简介

AON7430 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),属于 AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司的产品线。该器件封装为 DFN-8-EP(3x3mm),具有极为紧凑的尺寸设计,使其在空间受限的应用中表现出色。AON7430 特别适合于高效能功率转换、电源管理和负载驱动等领域。

2. 关键参数

  • 源极与漏极电压(V_DS): 30V
  • 持续漏电流(I_D): 34A(瞬时最大值),13A(持续)
  • 功耗(P_D): 3.1W(最大额定)
  • 最大工作温度: 150°C
  • 抗辐射特性: 适合高温和恶劣环境应用

AON7430 以其 30V 的源极与漏极电压能力,在现代电源管理系统中表现出强大的应用灵活性。其 34A 的瞬时漏电流和 13A 的连续漏电流能力,确保了在高功率消耗情境下的稳定性能。此外,3.1W 的功耗允许其在合理散热条件下,可靠地处于工作状态。

3. 封装与散热设计

DFN(双面扁平无引脚)封装设计使得 AON7430 具备出色的散热性能,尤其对于需要紧凑设计的电路板。该封装的 3x3mm 尺寸,可以有效减小电路板占用空间,同时其平坦的接触面设计有助于提高热传导效率,使设备在高负载下依然保持良好的工作温度。

4. 应用领域

AON7430 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 在开关电源设计中,该 MOSFET 的高电流承受能力和低导通电阻特点使其非常适合用作主要开关元件。

  • DC-DC 转换器: 在高效直流-直流转换器中,AON7430 可用作主开关或同步整流器,显著提升能量转换效率。

  • 电机驱动: 用于步进电机和无刷电机驱动系统中,得益于其快速开关特性,提供稳定的工作性能。

  • LED 驱动: 在 LED 照明系统中,利用 AON7430 可有效控制电流,提供恒流输出。

  • 电池管理系统: 在电源管理和电池充电应用场合,AON7430 能以其高电流特性适应快速充放电需求。

5. 性能优势

AON7430 在同类产品中,其低 R_DS(on) 值显著降低了传导损耗,从而提高整体系统效率。此外,极高的开关频率响应能力确保其在高频应用中的优秀表现,进一步减少了任何潜在的反弹行为和过渡损失。

符合工业标准的 AON7430 采用高可靠性的制造技术,确保其在各种环境下的稳定性与耐用性。通过实现低耗能与高效能的完美平衡,AON7430 与现代电子设备的需求高度契合。

6. 结论

总的来说,AON7430 是一款在电源管理、电机控制及能源转换应用中表现出色的 N 沟道 MOSFET。凭借其优异的电气特性、紧凑的封装设计和广泛的适用场景,AON7430 解决了现代电子设备对高效能和高可靠性元件的需求。为工程师们在设计与开发功率电子设备提供了卓越的元器件选择。