功率(Pd) | 50W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.85mΩ@20A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.1nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 130A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.75V@250uA |
AON6312 是一款高性能的 N-channel 金属氧化物场效应管(MOSFET),适用于多种电子应用。此产品具有额定功率 50W、耐压 30V 和最大饱和电流 85A 的特性,充分满足高效率和高电流需求的电子设计。它采用 DFN-8(5x6 mm)封装,提供了紧凑的尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的环境中使用。
AON6312 的特性使其特别适合以下应用场景:
AON6312 的设计注重多种性能指标的平衡,其特有低导通电阻(R_DS(on))特性使其能在低功耗状态下仍然保持良好的导电能力。这一点对提高整个系统的效率至关重要,尤其是在高频率开关应用中,电能损耗得以有效降低。此外,采用 DFN 封装不仅提供了优异的散热性能,更为设计师在电路布局时提供了灵活性,能够减少PCB面积的同时满足散热要求。
总之,AON6312 N-channel MOSFET 是一款具有高效率、高稳定性和广泛适应性的电子元件。其出色的电气特性与紧凑的封装设计使其在众多应用场景中表现出色。无论是在电源管理、电机驱动还是负载控制方面,AON6312 都是设计师的理想选择,充分展示了现代电子产品对高性能元件的需求。在设计和实施现代电子系统时,该产品无疑是提升性能和效率的重要组成部分。