2SCR554P5T100
2SCR554P5T100参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 25mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | MPT3 |
2SCR554P5T100手册
2SCR554P5T100概述
2SCR554P5T100 产品概述
产品名称: 2SCR554P5T100
类型: NPN 三极管
制造商: ROHM（罗姆电子）
封装类型: MPT3 (SOT-89)
一、产品特性
2SCR554P5T100 是一款高性能 NPN 晶体管，专为需要高电流和高电压处理能力的应用而设计。其最大集电极电流 (Ic) 可达到 1.5A，适合用于驱动电机、继电器以及其他负载组件。此外，该器件的集射极击穿电压 (V(BR)CEO) 高达 80V，使其在高压应用中具备出色的稳定性。
该晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 在 100mA 及 3V 时的最小值为 120，意味着其在各种工作条件下都能保持较高的放大能力。此外，在不同的输入电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下，Vce 饱和压降保持在 300mV（通过 25mA 流过的电流）和 500mV（通过 500mA 流过的电流）范围内，确保了设备的高效能和足够的功率转化效率。
二、技术规格
- 最大集电极电流 (Ic): 1.5A
- 最大集射极击穿电压 (V(BR)CEO): 80V
- 集电极截止电流 (ICBO): 1µA
- Vce 饱和压降: 300mV @ 25mA, 500mV @ 500mA
- DC 电流增益 (hFE): 最小值 120 @ 100mA, 3V
- 最大功率消耗: 500mW
- 跃迁频率 (fT): 300MHz
- 工作温度范围: 最高可达 150°C (TJ)
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 具体封装: TO-243AA / SOT-89-3
三、应用场景
2SCR554P5T100 的高电流和高电压特性使其在众多应用中崭露头角。首先，它非常适合用于开关电源，既可以作为开关元件，又能够放大信号。此外，针对电机控制、继电器驱动等自动化设备，2SCR554P5T100 提供了对高负载的可靠支持。
此晶体管的跃迁频率为 300MHz，意味着其适用于高频应用，如 RF 信号放大器和调制解调器。这一特性使其广泛用于通讯和电子设备中，提高了信号的传输质量。
在消费电子产品方面，2SCR554P5T100 也表现出色。它可以在音频设备和视频设备中作为信号放大器，同时在电子开关设备中发挥重要作用。其小巧的 SOT-89 封装设计，使得其在空间有限的应用中得以灵活使用。
四、优势与前景
高效性能: 结合低饱和电压和高电流增益，2SCR554P5T100 能够在提升工作效率的同时，降低热损耗。
广泛适用性: 适合多种应用场合，从消费电子到工业自动化，实现了布局设计的灵活性。
温度稳定性: 工作温度范围高达 150°C，适应多种恶劣环境，保障设备的长期稳定性。
随着电子设备向着高集成度、高性能发展的趋势，2SCR554P5T100 将在未来的市场中展现强劲的竞争力。无论是在新兴的智能设备、物联网应用还是在传统工业领域，该产品都将提供可靠的解决方案。
总之，2SCR554P5T100 是一款完美结合了高性能、高稳定性和广泛应用场景的 NPN 三极管，凭借其丰富的技术规格和特性，无疑是电子工程师在产品设计时的理想选择。