2SD2351T106W 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD2351T106W

商品编码: BM69417434
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN SOT-323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.33
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.33
--
200+
¥0.212
--
1500+
¥0.185
--
3000+
¥0.164
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD2351T106W参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)300nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)820 @ 1mA,5V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁250MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装UMT3

2SD2351T106W手册

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2SD2351T106W概述

产品概述:2SD2351T106W

一、产品简介

2SD2351T106W 是一款高性能 NPN 型晶体管,由著名半导体制造商 ROHM(罗姆)提供。该晶体管专为各种电子应用设计,特别是在高频和高电流应用领域。本产品以其良好的电流扩展特性和可靠性,成为设计师的首选元件之一。

二、主要特征

  1. 性能参数

    • 集电极电流(Ic):最大150mA,适合需要较高电流的多个应用场景。
    • 集射极击穿电压(Vceo):最大50V,确保在高电压应用中可靠运行。
    • 饱和压降(Vce(sat)):在不同的基极电流(Ib)下,最大饱和压降为300mV,这使得晶体管在开关状态下具有优良的效率。
    • 集电极截止电流(ICBO):最大值为300nA,表明在无偏电压条件下的低漏电流特性。
    • 直流电流增益(hFE):在1mA基极电流下,hFE 最小值为820,确保了良好的信号放大能力。
  2. 功率与频率

    • 提供最高200mW的功耗能力,适合多种功率要求的应用。
    • 工作频率可达250MHz,能够用于高频开关和放大电路。
  3. 温度特性

    • 工作温度可达150°C,确保该器件在极端环境下依然稳定可靠,满足工业及汽车电子领域的需求。
  4. 封装与安装

    • 采用表面贴装型(SMD)封装,型号为 SC-70 和 SOT-323,使其更适合现代紧凑型电路设计与自动化生产。
    • 供应商器件封装为 UMT3,便于在PCB上简洁安装。

三、应用领域

2SD2351T106W 晶体管以其优异的电气特性,被广泛应用于以下几个领域:

  1. 照明控制:适用于 LED 驱动电路及灯具的开关控制。
  2. 音频设备:作为音频放大器的驱动组件,提供高增益以增强音质。
  3. 汽车电子:在汽车电源管理和控制中,确保设备的稳定性与效率。
  4. 移动通信:在高频传输线中,如手机信号放大和开关装置,发挥出色性能。
  5. 工业设备:广泛用于振动传感器及其他控制模块中,以其高可靠性满足严苛的工业需求。

四、设计建议

在PCB设计中使用2SD2351T106W时,建议遵循以下原则:

  1. 散热设计:确保良好的散热管理,避免在高负载状态下超出最大功率限制。
  2. 电流限制:在设计电路时,应合理配置限流电阻,以确保基极电流在安全范围内。
  3. PCB 布局:尽量缩短晶体管与负载之间的连线,以减少电感和电阻引起的信号损耗。

五、总结

总之,2SD2351T106W NPN 晶体管以其卓越的电气性能、广泛的应用范围以及高可靠性,成为各类电子设计的优质选择。随着电子技术的不断进步和miniaturization趋势,该产品在未来的市场中将继续获得极大的关注和应用。如果您正在寻找一款高频、高电流、高温性能和方便安装的晶体管,2SD2351T106W 定将是您理想的选择。