M95080-DRDW3TP/K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

M95080-DRDW3TP/K

商品编码: BM69417348
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
8-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
EEPROM -40℃~+125℃ 8Kbit SPI 1.8V~5.5V TSSOP-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.02
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.02
--
100+
¥1.62
--
1000+
¥1.45
--
2000+
¥1.37
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

M95080-DRDW3TP/K参数

存储器类型非易失存储器格式EEPROM
技术EEPROM存储容量8Kb (1K x 8)
存储器接口SPI时钟频率20MHz
写周期时间 - 字,页4ms电压 - 供电1.8V ~ 5.5V
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装8-TSSOP

M95080-DRDW3TP/K手册

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无数据

M95080-DRDW3TP/K概述

产品概述:M95080-DRDW3TP/K

M95080-DRDW3TP/K是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能非易失性存储器,采用EEPROM(电可擦可编程只读存储器)技术,专为需要低功耗和高可靠性的嵌入式系统而设计。此存储器在广泛的工作温度范围内(-40°C至+125°C)具备良好的稳定性与性能,特别适合于汽车、工业和消费类电子产品等领域。

基础参数

M95080-DRDW3TP/K的存储容量为8Kb(1K x 8位),这使其能方便地存储相对较小量的数据,适合动态配置和数据存储需求。该产品支持SPI(串行周边接口),时钟频率高达20MHz,具备快速的数据传输能力。为了确保系统的高效性,该EEPROM具有短的写周期时间,字写周期为4毫秒,页写周期同样保持在短时间段内,确保大数据段的快速写入。

供电和接口

该器件的供电电压范围为1.8V至5.5V,这意味着其可在多个电压档位下运行,适应现代低功耗设计的需求。M95080-DRDW3TP/K的SPI接口使其与主控器件之间的连接变得简便且高效,支持多主设备和多从设备的通信,为设计人员提供了灵活的系统架构选项。

封装及安装类型

该产品采用8-TSSOP封装,外形小巧,尺寸仅为0.173英寸(4.40毫米宽),具有良好的空间效率,适合现代电子设备日益减少的空间限制。表面贴装型的设计能够方便集成到电路板中,加速生产过程并提高产品的可靠性。

工作温度和环境条件

M95080-DRDW3TP/K在工业级工作温度范围内运行,能够承受严苛的环境条件。该特性使其特别适合于高温或低温环境下的应用,如汽车电子、控制系统和工业设备,确保在极端条件下数据的持续可靠性。

应用场景

由于其稳定性和高性能,M95080-DRDW3TP/K常用于需要非易失性存储的应用场景,如:

  • 汽车电子:用于ECU(电子控制单元)中的数据存储。
  • 工业控制:在自动化设备中保存重要参数和设置。
  • 消费电子:在便携式设备中用于配置和用户设置信息的保存。
  • 医疗设备:确保扑灭数据的安全和可靠存储。

总结

总之,M95080-DRDW3TP/K是一款高效、可靠且灵活的EEPROM,适合多种应用场合。其宽广的工作电压、快速的写入速度以及耐高低温的特性,使其成为工程师在设计时的理想选择。意法半导体凭借其在半导体领域的深厚积累,确保了该产品在性能和可靠性上的卓越表现,为现代电子产品的稳定运行提供了强有力的支持。