功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.4nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 954pF | 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
AO3401A是一款基于友台半导体(UMW)制造的P沟道场效应管(MOSFET),以其卓越的性能和可靠的特性广泛应用于各类电子电路设计。该器件的技术参数包括额定功率1.4W,最大漏源电压为30V,以及最大漏电流为4.2A。AO3401A采用SOT-23封装,有助于在有限空间内提供高效能的功率转换和开关控制。
AO3401A采用SOT-23封装,该封装形式以其小巧与低成本而受到广泛欢迎。SOT-23封装的尺寸小,通常为3.0mm x 2.8mm,非常适合便携式和空间有限的应用场景。在现代电子设备中,减少 PCB 板面积和器件体积是结构设计中的一项重要考虑因素,因此SOT-23封装的MOSFET非常适应这种需求。
V_DS(漏源电压): AO3401A的最大漏源电压为30V。在电路中,这一特性确保了该MOSFET能够在相对较高的电压下安全操作,适用于各种应用场景,尤其是在电源管理和控制电路中。
I_D(漏电流): 该MOSFET的最大漏电流为4.2A,允许其在负载较高的情况下进行有效的开关操作。这一特性使得AO3401A成为负载开关、驱动电路及其他需要高电流处理的场合的理想选择。
P_D(功率耗散): AO3401A的额定功率为1.4W,意味着在热管理得力的情况下,该元件可以稳定工作,进一步增强了其适用性。
转导率(g_fs): 该MOSFET具有良好的转导率,可在低栅极电压下实现快速开关,适合高频率应用。
AO3401A因其出色的性能,广泛应用于各种电子设备中:
电源管理: 在开关电源、DC-DC转换器等应用中,AO3401A可用于高效切换电源,实现能量的有效管理。
电机驱动: 利用该MOSFET的高电流承载能力,可用于电机控制电路,有效控制电机启动与停止,提高系统效率。
逻辑电平转换: AO3401A可用于高低电平的转换电路,帮助在不同电压域间进行有效信号转接。
LED驱动: 该MOSFET在LED照明及驱动应用程序中,能够实现迅速调制信号的切换,为智能照明系统提供可靠支持。
选择AO3401A的理由包括:
高稳定性: 作为友台半导体的一款产品,其制造过程经过严格控制,确保了MOSFET的性能和可靠性。
低开关损耗: AO3401A在转导状态下的R_DS(on)较低,减少了开关过程中的功耗,提升了整体系统的能效。
简化设计: 小巧的SOT-23封装使得设计师能够更加灵活地进行PCB布局,便于在小型设备中实现集成。
AO3401A是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借卓越的电气特性和小巧的封装形式,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在电源管理、电机驱动,还是在其他各种控制应用中,它都能提供稳定的性能与优良的效率,是设计师实现高性能电路的理想选择。通过广泛的市场应用和可靠的工作表现,AO3401A无疑将在电子行业中扮演重要角色。