晶体管类型 | 4 NPN 达林顿(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.75A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.4V @ 2mA,1.25A |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | -20°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 16-PowerDIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-PowerDIP(20x7.10) |
ULN2068B 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能达林顿晶体管阵列,采用了封装为 16-PowerDIP(0.300",7.62mm),主要用于驱动应用和功率管理。这款产品由四个 NPN 达林顿晶体管组成,能够处理高达 1.75A 的集电极电流,同时具备 50V 的集射极击穿电压,极大地增强了其在各种工况下的应用灵活性。
ULN2068B 的主要特性在于其达林顿配置,这使得每个晶体管对输入信号具有高增益,因此能够以较小的输入电流控制较大的负载电流。这使得其非常适合用作继电器驱动器、LED 驱动器、步进电机控制和其他诸多要求高功率驱动的应用场景。
此外,该产品的饱和压降在较高负载电流情况下仍保持在合理的范围内,显示出其优良的导通性能。这样的低压降对于减少功率损耗和提升系统效率具有重要意义。
ULN2068B 广泛应用于各种自动化设备、电子控制系统和电力管理设备中。凭借其能够承受高电流和电压的特点,它非常适合于:
ULN2068B 不仅提供了可控的高电流输出,还在整体系统设计中使得电路布线更为简洁,适应各种 PCB 设计需求。其广泛的工作温度范围表明,此产品的适用性良好,尤其在工业环境中,温度波动不会显著影响其性能。
总之,ULN2068B 是一款高效、可靠的达林顿晶体管阵列,凭借其优异的电气规格和广泛的应用范围,在各种电力驱动和控制系统中表现出色。适合需要高电流和高增益的应用,是电子工程师和设计师们在选择功率驱动元件时的一个理想选择。