WNM3013-3/TR
WNM3013-3/TR参数
| 功率(Pd) | 210mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@1.8V,0.01A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.6nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 36pF | 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
WNM3013-3/TR手册
WNM3013-3/TR概述
产品概述：WNM3013-3/TR N沟道MOSFET
一、引言
在现代电子设备中，场效应管（MOSFET）作为一种重要的开关和放大元件，广泛应用于功率管理、信号调理、开关电源和自动化控制等场合。本产品WNM3013-3/TR是由WILLSEMI（韦尔）公司生产的一款高性能 N沟道 MOSFET，具有380mW的功率处理能力，50V的击穿电压和250mA的漏电流，采用SOT-723封装，极具市场竞争力。
二、基本规格
- 产品名称：WNM3013-3/TR
- 类型：N沟道MOSFET
- 最大功率：380mW
- 最大漏电压：50V
- 最大漏电流：250mA
- 封装类型：SOT-723
- 品牌：WILLSEMI（韦尔）
三、产品特性
高功率处理能力 WNM3013-3/TR能够支持高达380mW的功率处理，这使得其在各种应用中都能实现高效工作，包括开关电源、LED驱动等。
较高的击穿电压 最大漏电压达到50V，使得该MOSFET适用于较高电压的应用场合，同时提高了系统的可靠性和安全性，避免元件在过电压工作时发生击穿。
适中的漏电流 250mA的最大漏电流适用于大多数低功率管理场合，支持较高的开关频率下的工作，满足了客户对效率与性能的兼顾要求。
小型封装（SOT-723） SOT-723封装使得WNM3013-3/TR非常适合于小型化设计的电子产品，如便携设备、消费电子、工业控制等，有助于节省PCB空间并简化电路设计。
高效的开关特性 作为N沟道MOSFET，WNM3013-3/TR在通态导通时具有较低的导通电阻，能够有效提升开关效率，减少功耗。这一点在高频开关应用中尤为重要。
四、应用场景
WNM3013-3/TR的特性使其适应了多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：可作为主开关元件，提供高效、稳定的电源输出；
- LED驱动电路：适合用于LED照明的开关与调光控制，实现高效驱动；
- 电机控制：在小功率直流电机控制中，可作为开关元件实现 PWM 控制；
- 移动设备：在智能手机、平板电脑等便携设备中，由于其小型封装和高效性能，非常适合用于电源管理电路；
- 消费电子产品：在各种消费电子中，实现高效、紧凑的功率调节。
五、总结
WNM3013-3/TR N沟道MOSFET是WILLSEMI公司推出的一款高性价比电子元件，凭借其380mW的功率处理能力、50V的击穿电压、250mA的漏电流及小巧的SOT-723封装，满足了现代电子产品对高效率、小尺寸的设计需求。无论是开关电源、LED驱动还是移动设备等广泛应用场景，这款产品都表现出优越的性能和可靠性，必将成为设计工程师的优选元件。