AONS36314 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AONS36314

商品编码: BM69417243
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 42W;6.2W 30V 85A;36.5A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.44
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.44
--
100+
¥1.95
--
750+
¥1.75
--
1500+
¥1.65
--
3000+
¥1.57
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AONS36314参数

功率(Pd)42W;6.2W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.9mΩ@20A,10V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V漏源电压(Vdss)30V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)1.89nF@15V
连续漏极电流(Id)85A;36.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA

AONS36314手册

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AONS36314概述

AONS36314 产品概述

产品背景与介绍

AONS36314是一款高效的N沟道场效应管(MOSFET),由知名品牌AOS(Alpha & Omega Semiconductor)研发。这款元器件以其优越的电气性能和紧凑的DFN5x6-8L封装设计,适合广泛的应用场景,包括电源管理、DC-DC转换器和电动汽车驱动等领域。其额定功率为42W,工作电压高达30V,具有最高85A的瞬时电流承载能力和36.5A的持续电流输出,为各类负载提供强有力的支持。

技术规格与特性

AONS36314的主要技术参数如下:

  • 类型: N沟道MOSFET
  • 功率: 42W
  • 最大漏极源极电压 (V_DS): 30V
  • 最大漏极电流 (I_D): 85A(瞬时),36.5A(持续)
  • 封装: DFN5x6-8L
  • 工作温度范围: -55°C至+150°C

除了以上关键规格外,AONS36314还具备优异的开关特性和低导通电阻(R_DS(on)),从而极大地降低电源损耗,提高总体效率。这使得它在高频率和高效率的应用中表现出色,确保了系统的可靠性与稳定性。

应用领域

AONS36314因其出色的性能指标,广泛应用于以下领域:

  1. DC-DC转换器: 在电源管理系统中,AONS36314能够有效地处理电压转换,确保高效的电能转换,并能支持高负载需求。这些特性使其成为开关电源(SMPS)和隔离型DC-DC转换器的理想选择。

  2. 电动汽车: 随着电动汽车的普及,对高效能电子元器件的需求不断上升。AONS36314可用于电动汽车的电机驱动及电源管理中,保证设备在各种工况下高效稳定地运行,同时降低功耗。

  3. 消费电子设备: 在以功耗为核心优化的消费电子产品中,AONS36314的高效率和小封装设计使其适用于各种便携设备和家庭自动化产品,例如智能家居系统、移动设备和智能电源适配器。

  4. 其他工业应用: AONS36314也可以广泛应用于工业自动化、机器人以及其他高功率电路设计,帮助提升设备的运行效率和性能。

设计与实现建议

在设计中采用AONS36314时,需要考虑其散热管理和驱动设计。由于其高导通电流,合理的散热装置(如散热片、风冷等)能够确保MOSFET在高负载时的稳定工作。同时,推荐使用合适的驱动电路,确保MOSFET的快速开关,并降低开关损耗。此外,考虑“PCB布局”时,保持较短的信号路径有助于降低电感和干扰,确保系统的可靠性。

总结

总的来说,AONS36314是一款结合高效能、可靠性与多功能性的N沟道MOSFET,适应现代电子产品对功率和性能的高要求。其优越的电气特性、紧凑的结构设计,使其成为多种高性能应用的理想选择。在快速发展的电子行业中,AONS36314为设备提供了坚实的基础,助力系统提升整体性能。