晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 50mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 50mA,3V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | MPT3 |
产品概述:2SAR533P5T100 PNP 三极管
引言
在现代电子设计中,晶体管作为基本构建单元,其性能和稳定性直接影响到整个电路的功能与效率。2SAR533P5T100是一款由知名半导体厂商ROHM(罗姆)生产的PNP型三极管,具有优越的电流处理能力和频率响应,适用于多种不同类型的电子应用。本文将详细介绍该型号晶体管的基本特性、应用场景及其在特定应用中的优势。
基本参数
晶体管类型:2SAR533P5T100为PNP类型三极管。这种类型的晶体管一般用于负压电路中,能够在信号反向时保持良好的性能。
电流处理能力:该器件的最大集电极电流(Ic)可达3A,适用于需要较大电流驱动的负载。其设计使得在高功率应用中仍能提供稳定的性能。
电压特性:集射极击穿电压最大值为50V,意味着其在较高电压条件下也能保持稳定工作,适合于高电压电路设计。
饱和压降:在最大施加电流(50mA或1A)时,Vce的饱和压降为400mV,显示出该器件在导通状态下的低压降特性,有助于提高电路效率,降低功耗。
截止电流:集电极截止电流的最大值为1µA(ICBO),表明该器件在非导通状态下具有极低的漏电流,有利于提升整体电路的可靠性。
直流电流增益:在特定条件下(50mA,3V),其DC电流增益(hFE)最小值为180,确保在较小的基极电流下依然能够驱动较大的集电极电流,适应大多数开关和放大应用。
功率处理能力:该器件的最大功率为500mW,这使得2SAR533P5T100适用于中等功率的应用,而不会过热或损坏。
频率响应:其跃迁频率高达300MHz,这意味着其适合快速开关应用,能够有效支持高频信号处理。
工作温度:该器件的工作温度范围可达150°C(TJ),适用于高温环境中可靠工作。
安装类型与封装:2SAR533P5T100采用表面贴装型(SMD),封装类型为TO-243AA(MPT3),这使得它兼容多种现代PCB设计,同时减小了占用空间。
应用场景
由于其优良的电性能和热特性,2SAR533P5T100适用于多种不同的应用场景,包括:
总结
总体而言,2SAR533P5T100是一款功能强大的PNP型三极管,具有良好的电流、电压和频率性能,能够广泛应用于各种电子产品和系统中。其高效率、低功耗特性使其成为现代电子设计中的理想选择。ROHM(罗姆)凭借其在半导体领域的深厚技术积累,为客户提供了高可靠性的电子元器件,在电气性能与热管理方面的优越表现,将有效支持设计工程师的实际应用需求。