晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 24 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTC114WUAT106 是由日本知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的一款 NPN 型预偏置数字晶体管,属于 UMT3 封装类型。作为一种表面贴装型的器件,DTC114WUAT106 广泛应用于各类电子电路中,尤其适用于需要高频开关和低功耗信号放大的场合。
电流和电压规格 DTC114WUAT106 的集电极电流最大可达 100mA,集射极击穿电压最大为 50V,能够满足大多数低功率应用的需求。此外,该元件的增益特性良好,在 10mA 和 5V 的条件下,DC 电流增益 (hFE) 的最小值达到 24,这表明其在信号放大和开关应用中的出色性能。
饱和压降低 DTC114WUAT106 在不同的 Ib、Ic 工作条件下,其 Vce 饱和压降的最大值可控制在 300mV(在 500µA、10mA 的条件下),这对于降低功耗和提高电路效率具有重要意义。
高频特性 该晶体管的跃迁频率为 250MHz,使其能够在高频信号的开关和放大场合中表现得异常出色。此项特性特别适合高频通信和信号处理应用,如 RF 放大器和数字电路中的开关。
低漏电流 DTC114WUAT106 的集电极截止电流最大值仅为 500nA,极为微小的漏电流使其在待机状态下的功耗降至最低,有效提高了整体电路的能效。
功率和热性能 最大功耗为 200mW,这使得该晶体管在许多低功耗设备中得以应用,同时良好的热管理能力也能适应不同的工作环境。
DTC114WUAT106 的多项优异性能,使其在多个领域内拥有广泛的应用前景:
在PCB设计中,由于 DTC114WUAT106 的表面贴装特性,设计人员应当注意以下几点:
综上所述,DTC114WUAT106 作为一款高性能 NPN 预偏置数字晶体管,凭借其出色的电流增益、低饱和压降、高频特性以及低功耗特点,成为了现代电子电路设计中不可或缺的重要元件。适应于多种应用场景,是电子工程师在设计电路时值得信赖的选择。 ROHM 公司的高品质产品与严格的质量管理,也为 DTC114WUAT106 的可靠性提供了有力保障,确保其在实际应用中的稳定性与高效性。