DTC114WUAT106 产品实物图片
DTC114WUAT106 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC114WUAT106

商品编码: BM0000001909
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 UMT-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.579
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.579
--
200+
¥0.193
--
1500+
¥0.121
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC114WUAT106参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)24 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装UMT3

DTC114WUAT106手册

empty-page
无数据

DTC114WUAT106概述

DTC114WUAT106 产品概述

一、产品背景

DTC114WUAT106 是由日本知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的一款 NPN 型预偏置数字晶体管,属于 UMT3 封装类型。作为一种表面贴装型的器件,DTC114WUAT106 广泛应用于各类电子电路中,尤其适用于需要高频开关和低功耗信号放大的场合。

二、性能特点

  1. 电流和电压规格 DTC114WUAT106 的集电极电流最大可达 100mA,集射极击穿电压最大为 50V,能够满足大多数低功率应用的需求。此外,该元件的增益特性良好,在 10mA 和 5V 的条件下,DC 电流增益 (hFE) 的最小值达到 24,这表明其在信号放大和开关应用中的出色性能。

  2. 饱和压降低 DTC114WUAT106 在不同的 Ib、Ic 工作条件下,其 Vce 饱和压降的最大值可控制在 300mV(在 500µA、10mA 的条件下),这对于降低功耗和提高电路效率具有重要意义。

  3. 高频特性 该晶体管的跃迁频率为 250MHz,使其能够在高频信号的开关和放大场合中表现得异常出色。此项特性特别适合高频通信和信号处理应用,如 RF 放大器和数字电路中的开关。

  4. 低漏电流 DTC114WUAT106 的集电极截止电流最大值仅为 500nA,极为微小的漏电流使其在待机状态下的功耗降至最低,有效提高了整体电路的能效。

  5. 功率和热性能 最大功耗为 200mW,这使得该晶体管在许多低功耗设备中得以应用,同时良好的热管理能力也能适应不同的工作环境。

三、应用领域

DTC114WUAT106 的多项优异性能,使其在多个领域内拥有广泛的应用前景:

  • 消费电子产品:适用于手机、平板电脑等移动设备中的信号放大器及开关电路。
  • 数字电路:在各种逻辑电路和数字控制电路中,DTC114WUAT106 可以实现快速的开关操作。
  • 通信设备:在现代通信设备中,可以用于高频信号的处理和放大。
  • 汽车电子:广泛应用于汽车控制系统的传感器信号处理等。

四、设计和布局建议

在PCB设计中,由于 DTC114WUAT106 的表面贴装特性,设计人员应当注意以下几点:

  • 散热设计:虽然其最大功耗仅为 200mW,但在高频操作下应确保有效的散热以避免过热影响性能。
  • 阻抗匹配:在高频应用中,合理的阻抗匹配是保证信号完整性的重要环节。
  • 电源去耦:为确保稳定的工作状态,应在电源脚旁布置去耦电容,以滤除噪声和干扰。

五、结论

综上所述,DTC114WUAT106 作为一款高性能 NPN 预偏置数字晶体管,凭借其出色的电流增益、低饱和压降、高频特性以及低功耗特点,成为了现代电子电路设计中不可或缺的重要元件。适应于多种应用场景,是电子工程师在设计电路时值得信赖的选择。 ROHM 公司的高品质产品与严格的质量管理,也为 DTC114WUAT106 的可靠性提供了有力保障,确保其在实际应用中的稳定性与高效性。