AON7404G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON7404G

商品编码: BM69417179
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x3A-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5W;28W 20V 20A;20A 1个N沟道 DFN-8-EP(3x3)
库存 :
4620(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.28
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.28
--
100+
¥0.979
--
1250+
¥0.816
--
2500+
¥0.741
--
5000+
¥0.68
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7404G参数

功率(Pd)5W;28W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.3mΩ@20A,4.5V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@4.5V漏源电压(Vdss)20V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)3.3nF@10V
连续漏极电流(Id)20A;20A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.25V@250uA

AON7404G手册

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AON7404G概述

AON7404G 产品概述

1. 引言

AON7404G 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子和电力管理系统中。它采用了先进的材料和封装技术,能够提供出色的电流承载能力和高效能转换性能。这款MOSFET的设计旨在满足对现代电力电子设备日益增长的性能和可靠性需求。

2. 主要规格

  • 结构类型: N 沟道 MOSFET
  • 功率等级: 5W 峰值功率,具备 28W 的热通量管理能力
  • 电气特性:
    • 额定电压: 20V
    • 最大漏电流: 20A
  • 封装类型: DFN3x3A-8L,尺寸为 3mm x 3mm,具备 8 针的引脚配置
  • 厂家信息: AOS(Alpha & Omega Semiconductor)

3. 性能特点

3.1 高效能和热管理 AON7404G 提供的 5W 峰值功率与其 28W 热通量管理能力,使其在高负载条件下依然表现出色。该 MOSFET 的低导通电阻(R_DS(on))能够有效降低在运行过程中的功率损耗,提升整体系统的能效。这个特性特别适合电源管理、直流-直流转换器和电机驱动应用。

3.2 高电流承载能力 AON7404G 设计具备的 20A 最大漏电流能力,使其能够在多种高负载应用中稳定运行。它的高电流承载能力使其非常适合用于高效能电源转换场景,能够支持复杂的负载工作需求。

3.3 低栅极驱动电压 AON7404G 支持低栅极驱动电压,这一特性使其能够与较低电压的控制电路兼容。对于深圳现代电子设备,尤其是移动设备和便携式电子产品,低栅极驱动电压是一个重要的设计考量,有助于提高可靠性与延长电池寿命。

4. 应用场景

AON7404G 适用的应用范围广泛,主要包括:

  • 电源管理系统: 作为开关器件在 DC-DC 转换器和电源供应模块中负责智能电量分配。
  • 电动车辆和电动工具: 在电机驱动电路中,提高动力输出和能效比透过低功耗状态。
  • 消费电子: 在笔记本电脑、平板电脑和其他手持设备中,提供高效率的电能转换和热管理性能。
  • 自动化和工业控制: 在各种自动化设备中应用,支持高负载电机驱动和控制。

5. 封装与兼容性

采用 DFN3x3A-8L 封装的 AON7404G 具有极为紧凑的尺寸,同时又拥有优异的热性能。这种封装设计使得 AON7404G 能够在有限的电路空间中实现高效的电流和功率管理,不影响周边组件的布置与散热。

其引脚配置简化了电路设计,并可与其它 AOS 干扰约同的 MOSFET 产品无缝替换,从而为设计工程师提供灵活性和多样性。

6. 结论

AON7404G 作为一款高性能 N 沟道 MOSFET,不仅在电流和功率承载能力上表现卓越,还在热管理和封装设计上具有显著优势。其广泛的应用领域和强大的兼容性使其成为电力电子行业内的热门元器件。对于寻求高效、可靠解决方案的设计师而言,AON7404G 是一个理想的选择。