功率(Pd) | 5W;28W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.3mΩ@20A,4.5V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC@4.5V | 漏源电压(Vdss) | 20V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.3nF@10V |
连续漏极电流(Id) | 20A;20A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.25V@250uA |
AON7404G 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子和电力管理系统中。它采用了先进的材料和封装技术,能够提供出色的电流承载能力和高效能转换性能。这款MOSFET的设计旨在满足对现代电力电子设备日益增长的性能和可靠性需求。
3.1 高效能和热管理 AON7404G 提供的 5W 峰值功率与其 28W 热通量管理能力,使其在高负载条件下依然表现出色。该 MOSFET 的低导通电阻(R_DS(on))能够有效降低在运行过程中的功率损耗,提升整体系统的能效。这个特性特别适合电源管理、直流-直流转换器和电机驱动应用。
3.2 高电流承载能力 AON7404G 设计具备的 20A 最大漏电流能力,使其能够在多种高负载应用中稳定运行。它的高电流承载能力使其非常适合用于高效能电源转换场景,能够支持复杂的负载工作需求。
3.3 低栅极驱动电压 AON7404G 支持低栅极驱动电压,这一特性使其能够与较低电压的控制电路兼容。对于深圳现代电子设备,尤其是移动设备和便携式电子产品,低栅极驱动电压是一个重要的设计考量,有助于提高可靠性与延长电池寿命。
AON7404G 适用的应用范围广泛,主要包括:
采用 DFN3x3A-8L 封装的 AON7404G 具有极为紧凑的尺寸,同时又拥有优异的热性能。这种封装设计使得 AON7404G 能够在有限的电路空间中实现高效的电流和功率管理,不影响周边组件的布置与散热。
其引脚配置简化了电路设计,并可与其它 AOS 干扰约同的 MOSFET 产品无缝替换,从而为设计工程师提供灵活性和多样性。
AON7404G 作为一款高性能 N 沟道 MOSFET,不仅在电流和功率承载能力上表现卓越,还在热管理和封装设计上具有显著优势。其广泛的应用领域和强大的兼容性使其成为电力电子行业内的热门元器件。对于寻求高效、可靠解决方案的设计师而言,AON7404G 是一个理想的选择。