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STF15N65M5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 650V 11A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.16按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.16
--
100+
￥11.75
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF15N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 340 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 816pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF15N65M5手册
无数据
STF15N65M5概述
STF15N65M5 产品概述
STF15N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它在电源管理、逆变器、电动机驱动等多种应用中享有广泛的声誉。这款 MOSFET 采用先进的制造工艺，结合卓越的电气性能，使其成为高压应用的理想选择。
基础参数
- FET 类型: N 沟道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 最高达 650V
- 电流 - 连续漏极 (Id): 在 25°C 时可连续提供 11A 的电流，适合多种工作环境。
- 驱动电压: 为实现最佳的 Rds On 性能，推荐的驱动电压为 10V。
- 导通电阻（Rds On）: 在 5.5A 和 10V 的条件下，最大导通电阻仅为 340 毫欧，极大地降低了功耗和热量产生。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 5V @ 250µA，提供了快速的开关响应。
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动下，栅极电荷最大为 22nC，能够显著降低开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 在 100V 条件下最大为 816pF，提高了器件的开关速度。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 30W，表明器件能够有效处理高功率环境并具备良好的热管理特性。
- 工作温度范围: 可在高达 150°C 的环境中稳定工作，确保在极端条件下仍能可靠运行。
- 封装类型: TO-220FP，便于安装散热器，从而提高整体性能。
应用场景
STF15N65M5 在各类电子电路中具有广泛的应用：
电源管理: 由于其高耐压和优异的导通性能，能够用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理电路中，优化能效与稳定性。
逆变器: 适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、及其他高频逆变器的功率开关，充分发挥其高效率和耐高压的优势。
电动机驱动: 在电动机控制和驱动电路中，STF15N65M5 能够迅速地开关，提高电动机的响应速度和控制精度，适用于各类工业和家用电器。
照明控制: 该元件在LED驱动电路中表现出色，有助于实现高效的照明效果，并大幅度延长LED的使用寿命。
性能优势
STF15N65M5 的设计充分考虑了高效率与高功率密度的需求。其低 Rds On，以及较低的导通损耗，确保存储和转换过程中能源的最优使用。同时，该 MOSFET 可在高温和高压的环境下稳定可靠地工作，展示出卓越的热稳定性。
结论
STF15N65M5 MOSFET 是一个高性能的选择，凭借其高电压、高效率及广泛的应用场景，确实为设计工程师提供了一种理想的解决方案。无论是在电源转换、逆变器使用，还是电动机控制及照明领域，STF15N65M5 都能为系统提供出色的性能和可靠性。其 TO-220FP 封装更是使得散热和安装更加便捷，为设计提供了更多的灵活性。通过选用 STF15N65M5，工程师可以在提升系统效率的同时，确保设计的稳定性和长寿命。