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STW77N65M5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 400W 650V 69A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
258.54按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥258.54
--
10+
￥235.04
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW77N65M5参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ V |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 69A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 34.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | 25V | 功率耗散（最大值） | 400W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9800pF @ 100V | 基本产品编号 | STW77N |
STW77N65M5手册
无数据
STW77N65M5概述
STW77N65M5 产品概述
概述
STW77N65M5 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET)，属于 MDmesh™ V 系列。这款 MOSFET 提供了出色的电气性能和可靠性，适用于各种高功率和高电压应用场景，其设计特别注重降低导通电阻和提高效率，因此在现代电子设计中越来越受到关注。
主要参数
- 制造商: STMicroelectronics
- 系列: MDmesh™ V
- 零件状态: 有源
- 封装: TO-247-3
- 漏源电压（Vdss）: 650V
- 连续漏极电流 (Id): 69A（在 25°C 结温下）
- 功率耗散（最大值）: 400W（在 25°C 结温下）
- 导通电阻（Rds On）: 38 毫欧 @ 34.5A, 10V
- 工作温度: -55°C 至 +150°C
- 栅极电压（Vgs 最大值）: 25V
- 阈值电压 (Vgs(th)) 最大值: 5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) 最大值: 200nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) 最大值: 9800pF @ 100V
设计特点
STW77N65M5 采用了先进的金属氧化物半导体技术，其 N 沟道结构允许其在高电压和大电流的应用中表现出色。其独特的 MDmesh™ V 设计旨在降低导通电阻 (Rds On)，提高开关速度，同时有效控制电能损耗，这使得其在高效能电源管理和电动驱动等场景中非常适用。
高漏源电压: 650V 的额定漏源电压使其能够在诸多工业和消费级应用中支持高电压工作，能够承受严苛的工作环境。
低导通电阻: 仅 38 毫欧的 Rds On 在 34.5A 层级下，显著降低了在电流通过时的能量损耗，从而提高了整体系统效率。
高功率耗散能力: 400W 的最大功率耗散能力使得此款 MOSFET 在高负载情况下也能够稳定工作，提供了更多的设计灵活性。
宽工作温度范围: 具有高达 150°C 的工作温度，使 STW77N65M5 在高温环境下仍能保持可靠性，适合汽车电子及工业控制场合。
应用场景
STW77N65M5 的广泛应用包括但不限于：
- 开关电源: 用于电力转换、整流和电流控制以提升效率。
- 电动机驱动: 在电机控制中，通过高效开关操作来提高动力传递效率。
- 逆变器: 太阳能逆变器、电源逆变器等需要高压高流的应用。
- LED 驱动: 高功率 LED 照明控制中，MOSFET 提升对电流的控制效率。
结论
STW77N65M5 作为高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用领域，为电子工程师在设计高性能、高效率的电源管理解决方案时提供了强有力的支撑。其在高电压和高电流场景下的表现使其成为现代电力电子设备中不可或缺的元件之一。在选择合适的 MOSFET 时，STW77N65M5 无疑是一个理想的选择，满足各种复杂系统对性能和可靠性的需求。