安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 毫欧 @ 7.5A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1550pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 60W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
引言
STL15DN4F5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N通道MOSFET阵列,具有出色的导电性能和热管理能力。这款MOSFET适用于多种应用场景,包括电源管理、开关电源、马达驱动、LED驱动等。其低导通电阻和高电流处理能力,使其在现代电子设计中成为一种理想选择。
主要特性
高电流和低导通电阻
STL15DN4F5的最大连续漏极电流(Id)可达60A,且在7.5A和10V的工作条件下,其导通电阻达到9毫欧,这样的性能可以显著提高电能的传输效率,降低系统发热量。
宽工作温度范围
该MOSFET的工作温度范围为-55°C到175°C,使其能够在极端环境下依然稳定工作,这对于一些工业级和汽车应用尤为重要。
优异的开关特性
在25V的条件下,其输入电容(Ciss)为1550pF,结合最大栅极电荷(Qg)25nC的特性,使得STL15DN4F5具备快速开关能力。这一点对于高频率开关应用和数字电路设计尤为关键。
逻辑电平驱动
STL15DN4F5设计为逻辑电平门(Logic Level Gate),因此可以被微控制器和逻辑电路直接驱动,这简化了系统设计,提高了整体效率。
紧凑的封装形式
采用PowerFlat™(5x6 mm)封装,不仅减小了PCB占用面积,还良好地支持热管理,确保产品在高负载下的稳定运行。
相对较高的漏源电压
该MOSFET的漏源电压(Vdss)可达40V,使其适用于多种中低电压应用。如各种电源电路、保护电路等场合。
应用场景
STL15DN4F5的应用领域涵盖了从消费电子到工业控制的广泛范围。其具体应用包括:
总结
STL15DN4F5是一款功能强大的N通道MOSFET,其高电流和低导通电阻特性使其在现代电子设备中展现出卓越的性能。无论是在电源管理、马达控制,还是在LED驱动和汽车应用中,这款产品都能提供可靠的解决方案。凭借其宽广的工作温度范围和快速的开关能力,STL15DN4F5无疑是设计工程师在选择高效电子元件时的优先考虑对象。