STL70N4LLF5

产品概述: STL70N4LLF5 N通道MOSFET

概述

STL70N4LLF5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。以其优越的电气特性和广泛的应用场合，该器件被设计用于满足现代电子产品对高效能和紧凑设计的需求。其主要参数涵盖漏源电压、连续漏极电流、电阻等特性，确保在各种环境下的稳定性和可靠性。

关键参数和技术规格

1. FET 类型: STL70N4LLF5是一款N通道MOSFET，因其单极性特性在开关性能和高频响应方面表现出色，适用于多种应用，如开关电源和电机驱动。

2. 电流和电压规格:

   • 漏源电压 (Vdss): 该器件具有40V的漏源电压，使其适合中等电压的应用。
   • 连续漏极电流 (Id): 最高可达70A（在75°C时的外围环境温度下可持续工作），显示出其在高负载条件下的稳定性。
   • 峰值电流 (Idm): 其瞬态电流可以达到72A，使其在瞬态应用中具备优异的表现。

3. 导通电阻:

   • 最大Rds On: 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为6.5毫欧@9A， 表示器件在工作时产生非常低的功耗，适合高效能和低热量应用环境。

4. 栅极驱动:

   • Vgs(th): 最大阈值电压为1V @ 250µA，使得该器件的驱动电压要求较低，便于控制电路设计。
   • 栅极电荷 (Qg): 在4.5V下的栅极电荷为13nC，这对于高频开关应用来说非常理想，减少了开关损耗。

5. 电容特性:

   • 输入电容 (Ciss): 在25V下，最大输入电容为1800pF，影响器件的开关速度和频响特性。

6. 功率和效率:

   • 功率耗散: 最大功率耗散能力达到72W（Tc），使其能够在要求高导热性能的应用中保持安全和稳定的工作环境。

7. 工作温度范围:

   • 该MOSFET支持极广的工作温度范围，从-55°C到175°C，使其能够在严苛环境下也能正常工作。

8. 封装形式:

   • 封装/外壳: STL70N4LLF5采用PowerFlat™（5x6）封装，具备较好的散热性能和较小的占板面积，适合高密度布局应用。

应用领域

STL70N4LLF5广泛应用于：

• 开关电源: 用于DC-DC转换器、AC-DC电源等设备，在电源转换中提供低损耗和高效率。
• 电动汽车: 在电机驱动、功率管理及能量回收系统中，提供高效的家庭与工业应用。
• 电机驱动和控制: 适用于电机启停、调速控制等，通过其高电流能力能够有效驱动电机。
• 消费电子产品: 在消费类电器中，例如家用电器、通讯设备中，是实现尺寸与效率平衡的关键元件。

结论

STL70N4LLF5 N通道MOSFET因其高性能、高效率和宽工作范围的特性，适合各种严苛的电气应用。适合那些要求高功率、低热量和小体积的应用，例如开关电源、工业电机控制及电动汽车驱动系统等，其卓越的技术参数使其成为现代电子工程师的首选元件之一。