安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA | 工作温度 | 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 1.25W |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.3V @ 500µA,500mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 2000 @ 500mA,10V |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BSP52,115是一款高性能的NPN达林顿晶体管,专为需要高电流增益和优异电流控制的应用而设计。该元件采用表面贴装型(SMD)封装,极其适合现代电子设备中对电路板空间和散热效率的严格要求。结合其卓越的电气特性和优异的工作温度范围,BSP52,115是许多电子应用的理想选择。
晶体管类型: BSP52,115是一个NPN达林顿型晶体管,提供了极高的电流增益(hFE最低可达2000在10V、500mA下),这使其在进行功率放大或者开关控制应用时表现出色。
电流和功率规格: 该器件具备1A的最大集电极电流(Ic)和1.25W的最大功率(Pmax),适合多个电流和功率要求较高的应用。此外,集电极截止电流(最大值50nA)表明其在关断状态时的漏电流非常低,从而提升了电源的整体效率。
耐压能力: BSP52,115能够承受高达80V的集射极击穿电压,这意味着它在高电压环境中依然能够稳定工作,适用于电源管理和高电压开关电路。
饱和压降: 在高达500mA的工作条件下,Vce饱和压降最大为1.3V。较低的饱和压降对于提升电路效率和减少热量产生非常重要。
高频特性: 使用频率跃迁特性高达200MHz,使得BSP52,115适合频率较高的信号处理应用,这对于现代通信设备和快速开关电路至关重要。
工作温度范围: 该晶体管能够在高达150°C的工作温度下可靠运行,适合汽车、工业控制以及其他高温环境中的应用。
封装规格: BSP52,115采用SOT-223封装,具有较小的占位面积和良好的散热性能,符合现代电子设备对高密度集成的要求。其表面贴装设计便于自动化装配,提升了生产效率。
由于其卓越的性能,BSP52,115被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
BSP52,115是一款功能强大、灵活应用的NPN达林顿晶体管,凭借其高电流增益、高电压耐受能力和较宽的工作温度范围,广泛适用于现代电子设计与应用。无论是在工业、通信还是消费电子领域,BSP52,115都能提供可靠的性能,帮助设计师实现更高效能的电气解决方案。
作为Nexperia(安世)品牌的代表,该产品还确保了优秀的质量和可靠的供应链,为用户提供长期的支持和服务。对于追求高性能和高效率的电子设计师和工程师,BSP52,115无疑是一个值得考虑的高性价比选择。