SIR692DP-T1-RE3
SIR692DP-T1-RE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 63 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 7.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1405pF @ 125V |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR692DP-T1-RE3手册
SIR692DP-T1-RE3概述
SIR692DP-T1-RE3 产品概述
1. 产品简介
SIR692DP-T1-RE3是一款高性能的N沟道MOSFET，由全球知名电子元器件制造商VISHAY（威世）提供。该型号属于TrenchFET®系列，旨在为高压和高电流应用提供出色的效率和可靠性。其设计使其能够在各种苛刻的环境条件下稳定工作，特别适用于电源管理、转换器、马达驱动器和其他电力电子应用。
2. 关键技术参数
漏源电压（Vdss）: SIR692DP-T1-RE3的最大漏源电压为250V，使其能够在高压系统中可靠工作。
连续漏极电流（Id）: 该器件在25°C时具有24.2A的额定连续漏极电流，在良好散热条件下，具备强劲的输出能力。
导通电阻（Rds(on）: 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为63毫欧。这意味着其在导通状态下的损耗极低，有助于提高系统的整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4V（@ 250µA），显示出该器件在较低栅极电压下也能有效导通。
栅极电荷（Qg）: 在7.5V的栅极驱动电压下，最大栅极电荷为30nC。这一参数引导了开关速度及相应的驱动电路设计。
输入电容（Ciss）: 输入电容在125V下的最大值为1405pF，反映了器件在开关特性和响应速度方面的优越性。
功率耗散（Pd）: 最大功率耗散为104W（Tc），使其能够在高功率密度应用中高效运行。
工作温度范围: SIR692DP-T1-RE3具备宽广的工作温度范围，从-55°C至150°C，保证了其在严苛环境条件下的稳定性和可靠性。
3. 封装与安装
该器件采用PowerPAK® SO-8表面贴装封装，适合自动化生产及PCB布局。PowerPAK® SO-8封装的设计有效降低了散热阻抗，使得MOSFET可以更有效地排放热量，提升器件在高功率应用中的性能。
4. 应用场景
SIR692DP-T1-RE3特别适合以下应用：
电源转换器: 用于高效率的DC-DC变换器，以提高转换效率并降低电力损耗。
马达驱动: 在电动机驱动中作为开关器件，实现对负载的高效控制。
电源管理: 在适配器和电池管理系统中，提供高效的开关控制。
LED驱动和照明: 在LED驱动电路中，确保高效动态调节供电。
5. 结论
SIR692DP-T1-RE3结合了优越的电气性能与稳固的热管理能力，适用于要求高效能、稳定性和高电压操作的各类电子设备。其优异的导通电阻、宽工作温度范围和高功率处理能力，使得这一MOSFET在电力电子领域中占有一席之地，为工程师和设计师在打造高效、高可靠性系统时提供了卓越的解决方案。