功率(Pd) | 1.9W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 413pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@4.5V,5.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 44.5nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 12V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.88nF@0V | 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
1. 产品简介
WPM1481-6/TR 是一款由韦尔半导体(WILLSEMI)推出的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为1.4W,工作电压为12V,最大持续电流为4.3A。该元件采用DFN-6L(2x2)小型封装设计,专为高效能、低功耗的电子应用而开发,广泛适用于不同的电源管理和开关控制场合。
2. 主要特性
3. 应用范围
WPM1481-6/TR的性能特性使其适用于多个领域的电子产品,包括但不限于:
4. 设计考虑
在设计过程中,使用WPM1481-6/TR时,设计师应考虑以下几个方面:
5. 结论
WPM1481-6/TR 是一款高效、可靠的P沟道MOSFET,凭借其优越的电性能和小型化的设计,成为各类电子产品的不二之选。无论是在电源管理、电机控制还是汽车电子等领域,WPM1481-6/TR均能提供出色的解决方案。随着电子设备不断向小型化、高性能趋势发展,该产品的市场需求也在不断升高,预计将成为重要的市场基础元件之一。