STL4N10F7

产品概述：STL4N10F7 N 通道 MOSFET

STL4N10F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道功率场效应晶体管（MOSFET），具有出色的电气和热特性，适用于各种高效功率转换和开关应用。这款器件以其小巧的 PowerFlat™（3.3x3.3 mm）封装设计，受到了广泛的关注和使用，尤其是在对空间和散热有严格要求的现代电子设备中。

基本参数与规格

STL4N10F7 的关键参数如下：

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（应用金属氧化物技术）
• 漏源电压（Vdss）: 最高可达 100V，适用于中高压应用
• 连连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下，最大支持 4.5A；在结温（Tc）为 25°C 的情况下，则可支持高达 18A。
• 驱动电压: 在最大 Rds On 和最小 Rds On 下，支持的驱动电压为 10V。
• 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 时，Id 为 2.25A 的条件下，最大导通电阻为 70 毫欧，确保低功率损耗和高效率。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 4.5V（@250µA），提供了良好的开启特性。
• 栅极电荷 (Qg): 10V 时的最大栅极电荷为 7.8nC，适合快速开关应用。
• 输入电容 (Ciss): 在 50V 的条件下，最大输入电容为 408pF，降低了开关频率时的驱动需求。
• 功率耗散: 在环境温度 (Ta) 为 25°C 时的最大功率耗散为 2.9W；在结温 (Tc) 为 25°C 时则可达到 50W，适应性强。

热特性

STL4N10F7 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境条件下的可靠性和稳定性。器件的高功率耗散能力与有效的散热设计相结合，为高效率的功率管理提供了保障。

应用领域

由于其高电压和电流处理能力，STL4N10F7 广泛应用于以下领域：

1. 电源管理: 适用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器，提供稳定及高效率的电源转换解决方案。
2. 电机驱动: 在电机控制和驱动电路中，作为开关元件进行高效的电能转换。
3. LED 驱动: 用于 LED 照明产品中，确保光源的稳定驱动。
4. 消费电子: 应用于手机充电器、便携式设备等，提供出色的电源管理性能。

封装和安装

STL4N10F7 采用表面贴装型 PowerFlat™（3.3x3.3 mm）封装，不仅有效降低了 PCB 占用面积，还提高了热管理性能。这种紧凑型设计特别适合于空间有限的现代电子设备，同时简化了自动化安装过程。

总结

综上所述，STL4N10F7 MOSFET 满足现代电子设备对高效率、高可靠性和小型化的需求。其出色的性能和广泛的应用潜力，使其成为高电压和电流应用场合中不可或缺的重要元件。同时，ST 的质量和声誉也为用户在选择此产品时提供了更大的信心。无论是在工业设备、消费电子还是智能家居产品中，这款 MOSFET 都能发挥其卓越的性能，助力产品的高效稳定运行。