功率(Pd) | 1.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 530pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@4.5V,7.4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30.75nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 12V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.62nF |
连续漏极电流(Id) | 7.4A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA |
WPM1485-6/TR 产品概述
概述
WPM1485-6/TR是一款由韦尔半导体(WILLSEMI)推出的绝缘栅场效应管(MOSFET),其封装形式为DFN2020-6L。MOSFET广泛应用于各种电子电路中,因其高效能和优良的开关特性,特别适合用于电源管理、开关电源和各种信号调节等场景。WPM1485-6/TR的设计目标是为现代电子设备提供高效的电源解决方案,以满足日益增长的能耗需求。
产品特性
高效能: WPM1485-6/TR采用先进的制造工艺,具有低导通电阻(RDS(on)),相较于传统MOSFET,能显著降低在工作的电流下的功耗。这一特性使得该元器件在高频和高电流应用中表现出色,提升整体电路的能效。
快速开关特性: 该产品具备较快的开关速度,适合用于各种需要快速切换的场合。无论是在高频开关电源中还是在PWM控制中,WPM1485-6/TR都能有效降低开关损耗,提高系统响应速度。
低驱动电压: WPM1485-6/TR设计用于提供较低的栅驱动电压,降低了对控制电路的要求,使得其可以在更广的电压范围内正常工作,增强了使用的灵活性。
全面的保护机制: 该元器件内部设计了多重保护机制,如过流保护和过热保护,确保在极端条件下也能可靠运行,增强了系统的稳定性和安全性。
DFN2020-6L封装: WPM1485-6/TR采用DFN2020-6L封装,具有小型化和良好的散热性能。这一封装形式不但有利于减小PCB面积,也能有效提高热管理能力,非常适合现代紧凑型电子设备和集成电路设计。
应用领域
WPM1485-6/TR广泛适用于多个领域,包括但不限于:
总结
WPM1485-6/TR作为一款高效能的MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关特性和广泛的应用潜力,成为现代电子设备理想的选择。品牌韦尔依托其成熟的技术积累和丰富的市场经验,为客户提供高可靠性的产品和优质的技术支持。随着电子设备对能效和性能要求的不断提高,WPM1485-6/TR将继续在多个行业中发挥重要作用。