存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | EEPROM |
技术 | EEPROM | 存储容量 | 32Kb (4K x 8) |
存储器接口 | I²C | 时钟频率 | 400kHz |
写周期时间 - 字,页 | 5ms | 电压 - 供电 | 1.6V ~ 5.5V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOP-J |
BR24G32FJ-3GTE2 是一款由日本知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的高性能非易失性存储器。它采用 EEPROM 技术,拥有 32Kb (4K x 8) 的存储容量,能够满足各种不同电子应用的存储需求。本产品由于其优异的性能和广泛的应用场景,被广泛应用于消费电子、工业控制和物联网等领域。
BR24G32FJ-3GTE2 是一款基于 EEPROM 技术的存储器,特点在于数据存储的非易失性,这意味着即使在断电的情况下,所存储的数据仍然能够保持完整。其存储格式为 I²C 接口,支持的时钟频率最高可达 400kHz,这使得在高速数据传输和存取时,得以有效保障效率。
该型号提供 32Kb 的存储空间,具备 4K x 8 的有效存储结构,适用于许多需要存储较大数据量的应用。在嵌入式系统中,数据的存储和读取往往是设计的关键要求,BR24G32FJ-3GTE2 能够满足此类需求,为设计师提供灵活的数据存储方案。
BR24G32FJ-3GTE2 支持工作电压范围从 1.6V 到 5.5V,适应性极强,不同的应用场景可以根据实际需求选择合适的功率供应,确保数据的可靠读写。此外,工作温度范围为 -40°C至 +85°C,适合在各种严苛条件下工作,尤其是在工业和汽车电子等对环境要求较高的领域。
该存储器以表面贴装形式提供,标准封装为 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),方便自动化生产线的安装。这种封装方式相较于传统的插槽安装方式,具有更小体积和更高的集成度,使得设计师在开发时有更多的空间,能够实现更紧凑的电路布局。
在性能方面,BR24G32FJ-3GTE2 的写周期时间非常短,字写时长为 5ms,这在快速完成数据记录、更新时起了至关重要的作用。这一点在需要实时数据处理的场合尤为重要,例如在传感器数据采集、设备状态记录等应用中,能够显著提高系统响应速度和效率。
由于其高性能和灵活的工作参数,BR24G32FJ-3GTE2 在多个领域都有应用潜力。例如:
综上所述,BR24G32FJ-3GTE2 是一款结合高性能、宽工作电压和广泛适用范围的 EEPROM 存储设备,适合用于多种电子设计方案中。无论是需要长期数据存储的高级应用,还是在极端环境中仍需持续工作的小型设备,BR24G32FJ-3GTE2 均表现出色,能够满足现代电子产品日益复杂的存储需求。