AON7428 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON7428

商品编码: BM69417036
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3.3x3.3-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 83W;6.2W 30V 34A;50A 1个N沟道 DFN-8-EP(3.3x3.3)
库存 :
2893(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.34
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.34
--
100+
¥1.86
--
750+
¥1.67
--
1500+
¥1.57
--
3000+
¥1.5
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7428参数

功率(Pd)6.2W反向传输电容(Crss@Vds)280pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@4.5V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@15V连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA

AON7428手册

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AON7428概述

AON7428 产品概述

概述

AON7428是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),特别适用于需要高功率处理和高效率的应用场景。这款器件由AOS(Advanced Semiconductor Engineering)制造,采用业界标准的DFN-8-EP封装,外形尺寸为3.3mm x 3.3mm,便于集成于紧凑型电路中。AON7428的设计使其在电压和电流承受能力方面表现出色,适合用于开关电源、DC-DC变换器和电机驱动等应用。

关键特性

  1. 高功率处理能力:AON7428能够在最高83W的功率下稳定工作,适合对功率有较高需求的应用。
  2. 电压和电流规格:该MOSFET的最大漏极源极电压为30V,最大漏极电流可达34A,连续工作电流可达50A,确保它能够处理各种高负荷环境。
  3. 高效能:具有低开关损耗和导通电阻,显著降低了在高负荷条件下的热产生,提高了系统整体效率。
  4. 紧凑封装:DFN封装设计不仅减少了占用的PCB空间,还有效促进散热,使得设备更为可靠。

工作原理

作为一种场效应管,AON7428的工作原理基于电场对半导体内载流子的影响。当在其栅极施加适当电压时,MOSFET内部形成一个通道,使得源极与漏极之间可以传导电流。此特性使得MOSFET可以用作开关或放大器,在电源管理和信号调节中广泛应用。低导通电阻及高开关速度使AON7428能够在快速开关场合中保持优异性能。

应用场景

  1. 开关电源:在高频开关电源设计中,AON7428可以作为主开关元件,减少损耗,提高转换效率。
  2. DC-DC转换器:广泛用于各种DC-DC转换器,包括Buck、Boost及Buck-Boost拓扑,AON7428的特性能够有效提升转换效率和稳定性。
  3. 电机驱动:在电动机驱动应用中,利用AON7428的高电流和电压承受能力,可以实现高效的电机控制。
  4. 功率管理:在各种消费电子设备中,作为电源管理IC的一部分,能够实现高效的负载调节和功率分配。

技术参数

  • 最大漏极源极电压(Vds):30V
  • 最大漏极电流(Id):50A(连续),34A(脉冲模式)
  • 导通电阻(Rds(on)):低于100mΩ(典型值),具体数值请依据实际参数表确认
  • 封装类型:DFN-8-EP(3.3mm x 3.3mm)

结论

AON7428凭借其卓越的电流承受能力和低功耗特性,是一款非常优秀的N沟道MOSFET元件,适用于多种现代电子应用,尤其是在需要高功率和高效能的场合。凭借其紧凑的DFN封装设计,它不仅能够满足系统空间的限制,同时也提供了出色的散热性能。无论是在电源管理、DC-DC变换,还是在电机驱动中,AON7428都能发挥其最大潜力,是设计师务必考虑的关键元件之一。