功率(Pd) | 6.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 280pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 50A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
AON7428是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),特别适用于需要高功率处理和高效率的应用场景。这款器件由AOS(Advanced Semiconductor Engineering)制造,采用业界标准的DFN-8-EP封装,外形尺寸为3.3mm x 3.3mm,便于集成于紧凑型电路中。AON7428的设计使其在电压和电流承受能力方面表现出色,适合用于开关电源、DC-DC变换器和电机驱动等应用。
作为一种场效应管,AON7428的工作原理基于电场对半导体内载流子的影响。当在其栅极施加适当电压时,MOSFET内部形成一个通道,使得源极与漏极之间可以传导电流。此特性使得MOSFET可以用作开关或放大器,在电源管理和信号调节中广泛应用。低导通电阻及高开关速度使AON7428能够在快速开关场合中保持优异性能。
AON7428凭借其卓越的电流承受能力和低功耗特性,是一款非常优秀的N沟道MOSFET元件,适用于多种现代电子应用,尤其是在需要高功率和高效能的场合。凭借其紧凑的DFN封装设计,它不仅能够满足系统空间的限制,同时也提供了出色的散热性能。无论是在电源管理、DC-DC变换,还是在电机驱动中,AON7428都能发挥其最大潜力,是设计师务必考虑的关键元件之一。