BAS86,115
BAS86,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 50V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 900mV @ 100mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 50V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 100mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 4ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 40V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 供应商器件封装 | LLDS；MiniMelf |
| 工作温度 - 结 | 125°C（最大） |
BAS86,115手册
BAS86,115概述
BAS86,115 产品概述
一、产品简介
BAS86与BAS115均为高性能肖特基二极管，适用于各种电子应用场景。二极管的主要功能是单向导电，能够在正向偏置时允许电流通过，而在反向偏置时阻碍电流流动。这些产品凭借其独特的电气特性和紧凑的封装设计，使其成为现代电子电路中不可或缺的组件之一。
二、关键性能参数
直流反向耐压 (Vr): BAS86与BAS115的最大反向耐压为50V，能够有效应对高电压工作环境，确保保护下游电路不受过压损害。
平均整流电流 (Io): 这两款二极管的平均整流电流为200mA，适合于低至中等功率的应用，如电源整流和信号处理。
正向压降 (Vf): 在100mA的工作条件下，二极管的正向压降为900mV，较低的压降意味着在整流过程中产生的功耗较小，有助于提高整体能效。
反向恢复时间 (trr): 反向恢复时间仅为4ns，表明本产品适用于快速开关应用，如开关电源或射频电路，保证快速响应与高效能。
反向泄漏电流: 在40V的反向电压下，反向泄漏电流仅为5µA，这对于减少静态功耗，提升整机性能具有重要意义。
电容特性: 在1V和1MHz的条件下，电容值为8pF，产品的电容特性在高速脉冲应用中尤为重要，确保信号传递的稳定性。
三、适用应用
BAS86与BAS115广泛应用于各种需求对速度和效率有较高要求的电路中，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其较低的正向压降和反向恢复时间，适合用于电源电路，减少能量损失，提升转换效率。
- 环形整流: 在整流电路中，肖特基二极管能够有效减少整流损失，特别是当处理小信号时，能够提供更稳健的性能。
- 保护电路: 用于防止瞬态电压和电流影响敏感器件, 通过快速响应有效保护电路不受损。
四、封装与温度特性
BAS86与BAS115采用的LLDS（MiniMELF）封装，体积小巧，适合现代电子产品中对空间要求严格的设计。最大工作结温为125°C，能够适应相对苛刻的工作环境，确保在高温条件下依然可靠地运行。
五、结论
总体而言，BAS86与BAS115二极管以其显著的电气性能和高适应性，成为电子设计中的重要基础元件。它们的优越特性极大地拓宽了应用领域，满足了现代电子产品在高效、紧凑及低能耗上的设计需求。无论是在开关电源、信号整流、还是保护电路中，均能提供出色的性能表现，是设计师在选择电子元器件时的可靠选择。