功率(Pd) | 5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 12.5pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.9mΩ@10V,48A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.13nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 48A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
AON6226是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其额定电压高达100V,最大连续排流电流可达48A。这款器件采用DFN-8L(5x6mm)封装,强大的电流承载能力和较低的导通电阻使得AON6226特别适合在高效能电源转化、负载开关和其他功率管理应用中使用。
由于其出色的性能和特性,AON6226可广泛应用于以下领域:
AON6226 N沟道MOSFET凭借其卓越的电性能、紧凑的封装设计以及广泛的应用场景,成为现代电子产品中不可或缺的重要元件。其在电源管理、负载开关、电动机控制等核心领域的优越表现,为客户提供了更加高效、可靠的解决方案,同时帮助用户在设计和实施过程中简化了复杂性。无论是在高效电源设计还是高需求功率应用中,AON6226都能够提供坚实的技术支持和性能保障。