AON6226 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON6226

商品编码: BM69417021
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6-8L EP1
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 108W 100V 48A 1个N沟道 DFN-8L(5x6)
库存 :
1827(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
3.03
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.03
--
100+
¥2.42
--
750+
¥2.16
--
1500+
¥2.05
--
3000+
¥1.94
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON6226参数

功率(Pd)5W反向传输电容(Crss@Vds)12.5pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.9mΩ@10V,48A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.13nF@50V连续漏极电流(Id)48A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.3V@250uA

AON6226手册

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无数据

AON6226概述

产品概述:AON6226场效应管 (MOSFET)

一、产品简介

AON6226是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其额定电压高达100V,最大连续排流电流可达48A。这款器件采用DFN-8L(5x6mm)封装,强大的电流承载能力和较低的导通电阻使得AON6226特别适合在高效能电源转化、负载开关和其他功率管理应用中使用。

二、主要技术规格

  1. 结构类型:N沟道MOSFET
  2. 最大额定电压:100V
  3. 最大持续电流:48A
  4. 封装类型:DFN-8L(5mm x 6mm)
  5. 导通电阻:低于具体数据范围,确保更小的功耗和发热。
  6. 工作温度范围:广泛适用的工作温度范围,以适应各种应用环境。

三、产品特点

  • 高性能:AON6226的设计采用了先进的工艺技术,确保其具备优异的导电性能和散热能力。这使得设备在高负载工作的情况下仍然能保持高效率。
  • 小型化设计:DFN封装的设计不仅占用面积小,而且具有良好的散热性能,非常适合现代小型电子设备和功率密级设计的需求。
  • 降低功耗:低导通电阻特性降低了在开关过程中产生的功耗,从而提高了整体系统的能效,这对于追求高效能和长电池寿命的产品尤为重要。
  • 稳定性与可靠性:AON6226的高电流承载能力和高耐压特性,使其在恶劣的工作条件下仍能稳定运行,降低了设备故障的风险。

四、应用领域

由于其出色的性能和特性,AON6226可广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:用于电源转换器、DC-DC转换器等模块,提高能效并降低体积。
  2. 电动机驱动:在各种电动机控制应用中作为开关元件,支持高频和高效能的电动机驱动系统。
  3. 负载开关:适合作为负载开关,在不同的电子设备中实现高效、安全的电源开关控制。
  4. LED驱动:广泛用于LED照明和驱动系统中,提升灯具的驱动性能和使用寿命。

五、总结

AON6226 N沟道MOSFET凭借其卓越的电性能、紧凑的封装设计以及广泛的应用场景,成为现代电子产品中不可或缺的重要元件。其在电源管理、负载开关、电动机控制等核心领域的优越表现,为客户提供了更加高效、可靠的解决方案,同时帮助用户在设计和实施过程中简化了复杂性。无论是在高效电源设计还是高需求功率应用中,AON6226都能够提供坚实的技术支持和性能保障。