功率(Pd) | 2.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,5.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 2个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 520pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
产品名称: NCE4953
类型: P沟道场效应管(MOSFET)
功率: 2.5W
电压: 30V
电流: 5.1A
封装: SOIC-8、150mil
品牌: 新洁能(NCE)
NCE4953 是一款高性能的 P沟道场效应管,专为低功耗电子设备设计。其最大工作电压为30V,最大连续工作电流为5.1A,使其非常适合用于电源管理、负载开关以及多种电子设备的驱动电路。由于材料和工艺的创新,该产品具备出色的开关速度和热性能,使其在高频和高效能的应用中表现卓越。
NCE4953 适用于多种应用场景,包括但不限于:
NCE4953 在市场上具有明显的竞争优势,主要体现在以下几个方面:
综上所述,NCE4953 是一款高效能、广泛适用的 P沟道 MOSFET。其优秀的电气性能与可靠的质量,使其成为电源管理与负载开关应用的理想选择。无论是在工业应用、消费电子还是汽车电子等领域,NCE4953 均能够实现高效的能量转换和控制。选择 NCE4953,将帮助您在设计中达到更高的性能和效率目标。