功率(Pd) | 8.3W;277W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,20A | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 150V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.01nF@75V |
连续漏极电流(Id) | 18.5A;106A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5.1V@250uA |
AOT2502L 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220,适合各种电源管理、开关电源和高功率应用。该器件具有出色的热管理性能,能够在恶劣的条件下稳定工作。其主要参数包括:额定电流 18.5A,最大脉冲电流可达 106A,耐压可达 150V,功率耗散能力为 8.3W。
参数 | 数值 |
---|---|
类型 | N 沟道 MOSFET |
封装 | TO-220 |
额定电压 | 150V |
额定电流 | 18.5A |
最大脉冲电流 | 106A |
功率耗散 | 8.3W |
温度范围 | -55°C 至 +150°C |
导通电阻 (Rds(on)) | 典型值较低,具体值需查阅datasheet |
驱动电压 | 10V |
高效能:AOT2502L 采用高导电性的材料和优化的晶体管结构,能够在较低的 Rds(on) 下提供优异的导通性能,减少开关损耗,从而提升整体能源效率。
强大的热性能:TO-220 封装设计赋予 AOT2502L 优越的散热能力,能够在高功率应用中有效降低工作温度,延长器件使用寿命。
灵活的应用场景:作为一款 N 沟道 MOSFET,AOT2502L 可广泛应用于开关电源、电机驱动、电源管理电路、照明控制、以及电池管理系统等。
可靠性高:具备过流、过压和热保护的特性,使 AOT2502L 在多种应用中具备良好的稳定性与可靠性。
AOT2502L 适合多种电子和电气设备应用,具体包括:
开关电源(SMPS):在电源转换领域,MOSFET 被广泛应用于主控开关元件,AOT2502L 的高效率和低导通电阻使其成为理想选择。
电机驱动:在直流电机驱动和步进电机控制中,AOT2502L 提供可靠的开关控制和较低的功耗,适合于电动工具、电动车辆等。
LED照明控制:在 LED 驱动电源中,AOT2502L 可作为开关元件,实现对 LED 的有效调光和控制,提高能效。
电池管理系统:在电池充放电管理中,使用 AOT2502L 可以有效控制电池的放电和充电电流,保证系统安全可靠。
AOT2502L 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和灵活的封装设计,适用于众多高功率及高效率电子应用。通过优化的导电性和良好的散热性能,AOT2502L 为各类电子产品提供了可靠的解决方案,是电源管理和开关应用的理想选择。无论在电源转换、电机驱动,还是在 LED 照明和电池管理领域,AOT2502L 都将展现出其不可替代的价值。