SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3 产品概述

概述 SIZF906DT-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET 阵列，采用表面贴装型设计，提供强大的电流处理能力和卓越的热管理特性。此器件由威世（VISHAY）品牌制造，专门针对需要高开关频率和稳定导通性能的应用场景而设计。此产品特别适合用于功率管理、直流-直流转换器、电机驱动和其他高效率电源系统。

基本参数 该组件的安装类型为表面贴装型，便于集成到各种现代电子设备上。其最大漏极电流（Id）可达60A（在规范的环境温度条件下），并且其漏源电压（Vdss）为30V。这使得SIZF906DT-T1-GE3 能够在需要大电流和适度功率的环境中高效工作。

进一步来看，在不同的工作条件下，此 MOSFET 的导通电阻呈现出极低的值，分别为3.8 毫欧（在15A, 10V下）和1.17 毫欧（在20A, 10V下）。这为用户在高功率应用中提供了最低的能量损耗和最佳的散热效果。

电气性能 SIZF906DT-T1-GE3 的输入电容 (Ciss) 在不同的漏源电压条件下（15V）分别为2000pF和8200pF，显示出该器件在高频工作环境中的良好适应性。同时，器件在不同栅极电压下的栅极电荷（Qg）最大值也被定义清楚，分别为22nC和92nC，优化了驱动电路的控制性能。

该产品在25°C下的导通电压阈值（Vgs(th)）最大为2.2V，这意味着在较低的栅源电压下即可启动导通，提供了良好的灵活性以适应不同类型的驱动电路。

散热及工作环境 SIZF906DT-T1-GE3 的工作温度范围非常宽广，从-55°C到150°C，确保了该组件在极端环境下的稳定性和可靠性。在功率处理方面，该器件的最大功率为38W（工作条件下的Tc）与83W（特定做法），非常适合高热负荷的应用。

其使用的封装类型8-PowerPair（6x5）有效地促进了更好的热导出和小型化设计，非常适合现代微型电路板的需求。

应用领域 SIZF906DT-T1-GE3 的应用场景广泛，以其卓越的性能特点适用于各类电源管理解决方案，包括但不限于：

• DC-DC 转换器
• 高频开关电源
• 电机控制与驱动系统
• 太阳能逆变器
• 电池管理系统
• LED 驱动器

结论 总体而言，SIZF906DT-T1-GE3 是一种高效、稳定且可靠的 MOSFET 阵列，具备超过60A的漏极电流和出色的导通电阻性能，适合各种要求严苛的电力电子领域。它的表面贴装设计和优异的工作温度范围使其成为当今高科技产品的理想选择，满足现代电子产品对于功率管理及热性能的高需求。