SIRA12DP-T1-GE3

产品概述：SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET

SIRA12DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用现代化的 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效电力管理和变换应用而设计。该产品由 VISHAY（威世）公司制造，具备卓越的电气性能和可靠性，非常适合于各种电子设备中的开关和线性调节器应用。

关键参数

1. 电源性能：

   • 漏源电压（Vdss）：30V，能够有效应对中低电压应用，提供更安全的操作范围。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时，漏极电流可达到 25A，适合需要高电流输出的应用。同时在较高的温度条件下，其表现也极为出色。

2. 导通电阻：

   • 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds On）最大可达 4.3 毫欧（@10A），为低电压损耗提供了理想的解决方案，极大增强了设备的能量效率。

3. 驱动电压：

   • 该 MOSFET 设计时考虑了多种驱动电压的适应性，最小的栅极驱动电压为 4.5V，最大为 10V，能够满足多种电路设计需求。

4. 栅极阈值电压：

   • 不同的 Id 和 Vgs 下，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.2V（@ 250µA），意味着该 MOSFET 能以较低的电压达到启用状态，提高了开关效率。

5. 输入电容：

   • 最大输入电容（Ciss）为 2070pF（@ 15V），这使得 MOSFET在高频率下的性能表现尤为出色。

6. 工作温度范围：

   • 该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，保证了在严格环境条件下的长期可靠运行。

7. 功率耗散：

   • 在允许的工作条件下，最大功率耗散可达到 4.5W（环境温度），以及在热管理良好的条件下，最大功率可达 31W（壳体温度），这使得 SIRA12DP-T1-GE3 可以处理高负载应用。

8. 尺寸与封装：

   • 采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有节省空间且便于表面贴装的优点，适合快速现代化的电子电路板设计需求。

应用场景

SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET 广泛应用于以下领域：

• 开关电源：在电源管理和转换场景中扮演重要角色。
• 电机驱动：用于各类电动机的驱动控制电路，确保高效的能量传递和操作。
• LED 驱动电路：在 LED 照明设备中，通过高效的开关操作实现亮度控制。
• 逆变器：可用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换系统。
• 高频变换器：在高频应用中表现出色，提升了整体设备效率。

总结

VISHAY 推出的 SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET 以其极低的导通电阻、宽广的温度适应范围和高漏极电流能力，成为现代电子设备设计中的理想选择。它的多样化应用场景和强大的电气性能使其在许多行业中都显示出非凡的价值，尤其是在电力管理和高效率转换领域。选用 SIRA12DP-T1-GE3，不仅能够提高产品可靠性，还能在能效方面做出显著贡献。