SIR474DP-T1-GE3

产品概述：SIR474DP-T1-GE3

一、产品简介

SIR474DP-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效能及高密度应用而设计。此器件适用于多种电源管理、电机驱动和开关电源等应用，能在严苛的工作环境下保持卓越的性能。

二、技术特性

1. 基本电气特性

   • 漏源电压（Vdss）：30V，器件能够在高压环境下工作，适合于多种电源管理应用。
   • 连续漏极电流（Id）：25°C 时可提供高达 20A 的连续电流，这使得该 MOSFET 在承载高负载时的表现非常可靠。
   • 导通电阻（Rds On）：在 Vgs 为 10V 和 Id 为 10A 时，最大导通电阻仅为 9.5 毫欧，极大地降低了开关损耗并提高了系统的整体效率。

2. 驱动及控制特性

   • 驱动电压：最小的 Rds On电压为 10V，符合许多当今系统的需求。
   • 阈值电压 (Vgs(th))：在 250μA 流量下，最大阈值电压为 2.2V，允许在较低控制信号下实现快速开关。
   • 栅极电荷 (Qg)：在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷最大值为 27nC，确保快速开关，适合用于高频率的开关电源应用。

3. 输入和输出阻抗

   • 输入电容 (Ciss)：在 Vds 为 15V 时，最大输入电容为 985pF，这有助于提高开关频率并降低总功率损耗。

4. 功率和热特性

   • 功率耗散：在环境温度 (Ta) 下，最大功率耗散为 3.9W，在芯片温度 (Tc) 为 29.8W，具有优良的热管理能力。
   • 工作温度范围：该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于极端环境下的工业及汽车应用。

5. 封装与安装

   • 封装类型：PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，能够在高密度电路板中高效安装。
   • 尺寸设计：紧凑的封装设计使得 SIR474DP-T1-GE3 在提升电源密度方面具有显著优势。

三、应用场景

SIR474DP-T1-GE3 的广泛应用包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）：在高效能开关电源中，该 MOSFET 可用作主开关，提升整体电源效率。
• 电动机控制：在电动机驱动电路中，能够承担大电流且具有低导通损耗的特性，适合用于直流或无刷电机的控制。
• 电源管理及保护电路：可用于电源系统的过压和过流保护，以确保设备运行的安全性与稳定性。

四、总结

综上所述，SIR474DP-T1-GE3 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、大电流承载能力和广泛的温度范围，满足现代各种电源及电机驱动应用的需求。在进一步优化电路设计和提高系统效率方面，该器件提供了良好的解决方案，是设计工程师在选择 MOSFET 时值得考虑的优质选择。