功率(Pd) | 1.25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@2.5V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 2个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 640pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
NCE9926是一款由新洁能(NCE)生产的场效应管(MOSFET),具有高达1.25W的功率处理能力,能够承受最大20V的漏源电压和6A的漏电流。这款MOSFET采用SOP-8封装,尺寸为150 mil,便于集成在各种电子应用中。
NCE9926的优良特性使其广泛应用于各种电子产品中,主要应用场景包括:
NCE9926的设计结合了性能与经济性,确保其在实际应用中能够提供较高的性价比。其低导通电阻以及高开关频率使得该元器件能够在功耗和热管理上表现优异。与其它同类产品相比,NCE9926在散热性能和稳定性方面同样出色,能够在较为严苛的工作环境中维持稳定操作。
NCE9926是新洁能推出的一款高性能N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性、可靠的性能和广泛的应用领域,成为了工程师在设计电子电路时的优选元件。从开关电源到电动机驱动,甚至到LED照明控制,NCE9926都能够提供精准的控制与高效的功率管理,适合多种现代电子设计需求。选择NCE9926,意味着选择了一种高效、可靠的解决方案,助力于高性能产品的设计与开发。