IPP075N15N3G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPP075N15N3G

商品编码: BM69416859
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TO220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 300W 150V 100A 1个N沟道 TO-220-3
库存 :
163(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
9.96
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.96
--
10+
¥8.29
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IPP075N15N3G参数

功率(Pd)300W反向传输电容(Crss@Vds)10pF@75V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.2mΩ@10V,100A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)93nC@10V
漏源电压(Vdss)150V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)5.47nF@75V连续漏极电流(Id)100A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@270uA

IPP075N15N3G手册

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IPP075N15N3G概述

产品概述:IPP075N15N3G MOSFET

一、产品简介

IPP075N15N3G 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能场效应管(MOSFET),其具有额定功率300W,耐压150V,导通电流高达100A,采用的是PG-TO220-3封装形式。该产品非常适合用于需要高电流和高开关频率的应用场景,如电源管理、马达驱动、照明控制及其他高效能的电路设计。

二、主要特性

  1. 高功率密度:IPP075N15N3G 具备高达300W的功率处理能力,使其能够在较高负载的条件下稳定工作。

  2. 电压和电流能力:该MOSFET 电压承受能力达到150V,同时支持高达100A的持续导通电流,适用于各种高压和大电流的电路设计。

  3. 低导通电阻:其导通电阻非常低,这降低了开关损耗和导通损耗,提高了电路的整体效率,适用于高效能电源转换。

  4. 高互易频率:当运行在高开关频率的环境中时,IPP075N15N3G 可以确保快速响应,减少开关延迟,提高系统的动态性能。

  5. 热性能优越:在PG-TO220-3封装下,MOSFET可获得良好的热管理性能,能够有效散热,保证其在高功率运作时的可靠性。

三、应用领域

IPP075N15N3G 适用范围广泛,尤其在以下几个领域表现出色:

  1. 电源转换器:广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器等,以实现高效能的电源管理。

  2. 马达驱动:在电动机控制领域,特别是驱动高功率电机的逆变器和电机驱动系统中,能有效提高控制效率和系统可靠性。

  3. 照明控制:可用于高效LED驱动电路,以及任何需要调光、调速等功能的应用。

  4. 汽车电子:由于其高耐压和电流能力,IPP075N15N3G 也适合用于汽车电子系统,如电动助力转向、车载电源管理等。

  5. 工业控制:在PLC和自动化设备中,MOSFET可以作为开关元素,控制高功率负载,具有高效、安全的特点。

四、技术规格

  • 类型:N型MOSFET
  • 封装类型:PG-TO220-3
  • 最大耗散功率:300W
  • 最大漏源电压:150V
  • 最大连续电流:100A
  • RDS(on):非常低的导通电阻,具体值需参考产品数据手册
  • 工作温度范围:-55°C至+150°C

五、产品优势

  • 高效能:IPP075N15N3G具有出色的电气特性和较高的效率,尤其在高频开关应用中,大幅度减少了能量损耗。

  • 可靠性高:先进的制造技术确保了其在极端工作条件下的可靠性,包括高温和高电流负载的场合。

  • 广泛的适用性:能够满足多种电气应用需求,使其成为设计工程师在选择MOSFET时的首选。

六、总结

IPP075N15N3G 是英飞凌推出的一款性能卓越的N沟道 MOSFET,凭借其高功率密度、出色的电气性能和可靠的热管理,适合用于各类高效能电源应用、马达控制、照明控制和汽车电子领域。对于需要高效能和高可靠性的电子设计而言,IPP075N15N3G 是一个理想的选择。工程师可以根据具体应用需求灵活选择,促进系统的整体性能提升与能效优化。通过社区的广泛认可,该MOSFET在市场上也赢得了良好的口碑。