SI2309 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI2309

商品编码: BM69416747
品牌 : 
BORN(伯恩半导体)
封装 : 
-
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 60V 2A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.36
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.36
--
200+
¥0.233
--
1500+
¥0.202
--
3000+
¥0.179
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2309参数

功率(Pd)800mW反向传输电容(Crss@Vds)15pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@4.5V,1A
工作温度-50℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)5.4nC@30V
漏源电压(Vdss)60V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)310pF@30V连续漏极电流(Id)2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

SI2309手册

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SI2309概述

SI2309 产品概述

1. 产品简介

SI2309 是一款由伯恩半导体(BORN)生产的 P 沟道场效应管(MOSFET),其颗粒特性使其适用于多种电子应用。该器件具有较低的导通电阻和优良的电流承载能力,能够在一定的电压范围内高效工作,广泛应用于功率开关、低压负载驱动和电源管理等领域。

2. 规格参数

  • 功率额定值:1W
  • 最大漏极-源极电压 (Vds):60V
  • 最大漏极电流 (Id):2A
  • 封装类型:SOT-23-3L
  • 沟道类型:P 沟道

由于其小巧的 SOT-23-3L 封装,SI2309 非常适合于空间受限的应用,为设计师提供了一种有效的解决方案,以实现更高的集成度和更小的设计空间。

3. 特性与优势

  • 高效能:SI2309 的设计专注于降低导通电阻(Rds(on)),从而减少功耗和发热,提升产品的整体能效。
  • 优良的热管理:在高负载条件下,SI2309 的热性能表现良好,能够有效散热,确保器件在长时间工作过程中的稳定性。
  • 开关速度快:该 MOSFET 具有快速的开关特性,能够提供高频率操作的支持,满足现代电子设备对快速响应的需求。
  • 宽广的应用领域:SI2309 可用于多种应用,包括电源供应、直流电机驱动、负载开关等,灵活应对各种电子设计需求。

4. 应用场景

SI2309 适用于许多不同的电子设备和系统,尤其是在以下几个领域表现突出:

  • 电源管理:在开关电源(SMPS)中,使用 SI2309 可以实现高效率的电流控制,从而降低整体功耗。
  • 电机控制:该 MOSFET 可作为电机驱动电路中的开关元件,提供高效率的电流反馈,确保电机的平稳运行。
  • 负载开关:SI2309 还可以作为低压负载的开关,保护电路并提高能效,其 P 沟道特性特别适合在负载开关应用中使用。

5. 产品应用实例

在智能家居领域,SI2309 可用于控制LED灯和智能插座的开关。通过使用 MOSFET 作为关键开关元件,产品能够快速实现响应,并且在运行过程中保持较低的功耗,这与用户的环保意识及节能需求相契合。

此外,在便携式设备中,使用 SI2309 作为电源管理的开关器件,不仅可以支持更高效的电池管理系统,还能在待机模式下有效延长设备的待机时间。

6. 总结

SI2309 P 沟道 MOSFET 结合了高效能、优良的热管理及广泛的应用适用性,是设计师在开发各类电子设备时值得考虑的重要元器件。凭借其卓越的性能和可靠性,SI2309 将为各种电子项目提供强大的支持,助力实现更高的设计目标和更好的使用体验。对于需要高效能和紧凑设计的现代电子产品而言,SI2309 是一种理想的选择。