功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@4.5V,1A |
工作温度 | -50℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.4nC@30V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@30V | 连续漏极电流(Id) | 2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
SI2309 是一款由伯恩半导体(BORN)生产的 P 沟道场效应管(MOSFET),其颗粒特性使其适用于多种电子应用。该器件具有较低的导通电阻和优良的电流承载能力,能够在一定的电压范围内高效工作,广泛应用于功率开关、低压负载驱动和电源管理等领域。
由于其小巧的 SOT-23-3L 封装,SI2309 非常适合于空间受限的应用,为设计师提供了一种有效的解决方案,以实现更高的集成度和更小的设计空间。
SI2309 适用于许多不同的电子设备和系统,尤其是在以下几个领域表现突出:
在智能家居领域,SI2309 可用于控制LED灯和智能插座的开关。通过使用 MOSFET 作为关键开关元件,产品能够快速实现响应,并且在运行过程中保持较低的功耗,这与用户的环保意识及节能需求相契合。
此外,在便携式设备中,使用 SI2309 作为电源管理的开关器件,不仅可以支持更高效的电池管理系统,还能在待机模式下有效延长设备的待机时间。
SI2309 P 沟道 MOSFET 结合了高效能、优良的热管理及广泛的应用适用性,是设计师在开发各类电子设备时值得考虑的重要元器件。凭借其卓越的性能和可靠性,SI2309 将为各种电子项目提供强大的支持,助力实现更高的设计目标和更好的使用体验。对于需要高效能和紧凑设计的现代电子产品而言,SI2309 是一种理想的选择。