存储器格式 | DRAM | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 技术 | SDRAM |
存储器接口 | 并联 | 存储器类型 | 易失 |
安装类型 | 表面贴装型 | 访问时间 | 5.4ns |
时钟频率 | 166MHz | 存储容量 | 256Mb (16M x 16) |
IS42S16160J-6TLI 产品概述
IS42S16160J-6TLI是由美国芯成(ISSI)公司生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM),其采用了同步动态随机存取存储器(SDRAM)的技术,以满足现代电子设备对高速、高容量存储器的日益增长的需求。该产品凭借其出色的性能指标和广泛的应用范围,在消费电子、通信设备、工业控制和嵌入式系统等领域中得到了广泛认可。以下是对IS42S16160J-6TLI的详细介绍。
IS42S16160J-6TLI提供256Mb的存储容量(16M x 16位),这使得它在处理大量数据时具备良好的灵活性和适应性。该存储器采用了54引脚的TSOP II封装,具有较小的占板面积,适合于表面贴装技术(SMT),大大简化了PCB设计与装配工艺。
在性能方面,IS42S16160J-6TLI的访问时间为5.4纳秒,时钟频率高达166MHz。这些性能指标确保了存储器实现快速数据访问和传输,能够满足高带宽应用的需求。此外,该存储器的运行温度范围广泛(-40°C至85°C),使其适用于各种环境条件下操作,特别是在工业及 automotive 领域中,对于温度和稳定性的要求都很高的设备。
IS42S16160J-6TLI的供电电压范围为3V至3.6V,提供了一定的灵活性,以适应不同的电源设计要求。这样的设计使得它可轻松集成到各种供电系统中,降低了整体功耗,符合现代电子设备向低能耗发展的趋势。
该产品采用并联存储器接口设计,具有较好的兼容性,便于与多种主控芯片和系统集成。其SDRAM规范使得该存储器能够支持隐形行读取和写入等高效操作,提升了存储器的工作效率。此特性使得IS42S16160J-6TLI在需要大量数据处理的应用中,具备优越的工作性能。
IS42S16160J-6TLI广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:
综上所述,IS42S16160J-6TLI作为一款高性能的同步动态随机存取存储器,以其优秀的存储容量、访问速度和宽广的温度适应性,满足了现代电子产品对性能和可靠性的要求。无论是用于消费电子、工业控制还是嵌入式系统,该产品都将提供强有力的支持,助力于各种技术创新与产品开发。选择IS42S16160J-6TLI,帮助您的产品在竞争中脱颖而出。